[发明专利]半导体装置的金属选用结构

说明书

一种半导体装置的金属选用结构可以包括：多个通孔，其将第一金属层中所设置的第一金属线连接到设置在第一金属层上方的第二金属层中所设置的第二金属线，并且被配置为构成选用电路的多个节点；以及识别图案，其设置在第一金属层和第二金属层之间并且与通孔具有不同的布局结构。

技术领域

各种实施方式总体上涉及一种半导体技术，更具体地，涉及一种半导体装置中的金属选用结构(metal option structure)。

背景技术

为了便于设计、制造和测试处理，在半导体装置中配置各种选用电路(optioncircuit)，并且半导体装置设计成通过经由遮罩修补(mask repair)改变选用金属来选择和改变电路。例如，为了在同一生产线上共同制造x8产品和x16产品，首先在生产线上制造x16产品。然后，当制造x8产品时，通过遮罩修补处理来改变选用金属以实现8x结构。

发明内容

各种实施方式涉及一种具有金属选用结构的半导体装置，其能够减少在用于改变选用金属的遮罩修补处理期间可能发生的故障，并且有助于提高修补效率。

在一个实施方式中，一种半导体装置的金属选用结构可以包括：多个通孔，其将第一金属层中所设置的第一金属线连接到被设置在第一金属层上方的第二金属层中所设置的第二金属线，并且被配置为构成选用电路的多个节点；以及识别图案，其设置在第一金属层和第二金属层之间并且与通孔具有不同的布局结构。

附图说明

图1是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的金属选用结构的电路图。

图2是示出在修补金属选用结构之前图1的金属选用结构的一个实施方式的布局图。

图3是示出在修补金属选用结构之后图2的金属选用结构的布局图。

图4是示出在修补金属选用结构之前图1的金属选用结构的一个实施方式的布局图。

图5是示出在修补金属选用结构之后图4的金属选用结构的布局图。

图6是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的金属选用结构的电路图。

图7是示出在修补金属选用结构之前图6的金属选用结构的一个实施方式的布局图。

图8是示出在修补金属选用结构之后图7的金属选用结构的布局图。

图9是示出在修补金属选用结构之前图6的金属选用结构的一个实施方式的布局图。

图10是示出在修补金属选用结构之后图9的金属选用结构的布局图。

图11是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的金属选用结构的布局图。

图12是示出根据本公开的一个实施方式的具有半导体装置的电子系统的框图。

图13是示出根据本公开的一个实施方式的包括半导体装置的存储卡的框图。

具体实施方式

本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过以下实施方式并且参照附图而得到清楚的描述。然而，本公开不限于本文所公开的示例性实施方式，而可以以各种不同的方式实现。本公开的示例性实施方式向本领域技术人员传达了本公开的范围。

描述本公开实施方式的附图中给出的数值、尺寸、比率、角度、元件数量仅仅是例示性的，而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。在描述本公开时，当确定对已知相关技术的详细描述可能模糊本公开的要点或清晰性时，将省略其详细描述。应当理解，说明书和权利要求书中使用的术语“包括”、“具有”、“包含”等不应被解释为限于其后列出的项目，除非另有特别说明。当提及单数名词时使用不定冠词或定冠词(例如“一个”、“一”、“该”)时，除非另有特别说明，否则该冠词可包括该名词的复数形式。