[发明专利]CMOS保护层结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010691605.5 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111785747A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈则同;林聪;徐莹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 保护层 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS保护层结构，其形成于CMOS的金属层上，其特征在于，包括：
第一保护层，其淀积形成在所述金属层上，其厚度为第一厚度；
第二保护层，其淀积形成在所述第一保护层上，其厚度为第二厚度；
其中，第一保护层和第二保护层是不同材料淀积形成的氮化层，第二厚度大于第一厚度，淀积第一保护层所需温度低于淀积第二保护层所需温度。
2.如权利要求1所述的CMOS保护层结构，其特征在于：第一保护层是氮碳硅化合物层，第二保护层是氮化硅层。
3.如权利要求1所述的CMOS保护层结构，其特征在于：第一保护层厚度范围是100埃～150埃，第二保护层厚度范围是2000埃～3000埃。
4.如权利要求3所述的CMOS保护层结构，其特征在于：第一保护层厚度范围是130埃，第二保护层厚度范围是2370埃。
5.如权利要求1-4任意一项所述的CMOS保护层结构，其特征在于：所述金属层是铜层。
6.一种CMOS保护层结构制造方法，其用于CMOS金属层形成之后，其特征在于，包括以下步骤：
在金属层上使用第一种氮化物淀积形成第一厚度的第一保护层；
在第一保护层上使用第二种氮化物淀积形成第二厚度的第二保护层；
其中，第一保护层和第二保护层是不同材料淀积形成的氮化层，第二厚度大于第一厚度，淀积形成第一保护层制程所需要的温度低于淀积形成第二保护层制程所需要的温度。
7.如权利要求6所述CMOS保护层结构制造方法，其特征在于：第一保护层是氮碳硅化合物层，第二保护层是氮化硅层。
8.如权利要求6所述CMOS保护层结构制造方法，其特征在于：第一保护层厚度范围是100埃～150埃，第二保护层厚度范围是2000埃～3000埃。
9.如权利要求7所述CMOS保护层结构制造方法，其特征在于：第一保护层厚度范围是130埃，第二保护层厚度范围是2370埃。
10.如权利要求6-9任意一项所述的CMOS保护层结构制造方法，其特征在于：所述金属层是铜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
