[发明专利]改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法

权利要求书

1.一种改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，所述薄膜的生长包括若干个循环过程，其特征在于，每个循环过程的步骤如下：

步骤S1，通入第一气相前驱体，进行物理吸附；

步骤S2，利用吹扫气体对多余的第一气相前驱体进行吹扫；

步骤S3，第一次通入第二气相前驱体，所述第二气相前驱体的流量为S₁，通入时间为T₁；

步骤S4，第二次通入第二气相前驱体，所述第二气相前驱体的流量为S₂，通入时间为T₂；

步骤S5，利用吹扫气体对多余的第二气相前驱体进行吹扫；

其中，每个循环过程中需要的所述第二气相前驱体的体积V₀与第一次通入的第二气相前驱体的流量为S₁、通入时间为T₁以及第二次通入的第二气相前驱体的流量为S₂、通入时间为T₂的关系为：

V₀＝S₁×T₁+S₂×T₂

S₁＞S₂。

2.根据权利要求1所述的改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，其特征在于，第一次通入的第二气相前驱体的流量S₁与第二次通入的第二气相前驱体的流量为S₂的比值为5:1～10:1。

3.根据权利要求1所述的改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，其特征在于，所述吹扫气体为氮气或惰性气体。

4.根据权利要求1所述的改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，其特征在于，在步骤S3和步骤S4中，所述第二气相前驱体和所述第一气相前驱体进行化学反应。

5.根据权利要求1所述的改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，其特征在于，所述方法用于形成氮化硅薄膜、氧化硅薄膜以及氮氧化硅薄膜。

6.根据权利要求1所述的改善炉管工艺中硅片薄膜厚度差异的方法，其特征在于，所述炉管工艺包括常压炉管工艺、低压炉管工艺和原子层沉积工艺。