[发明专利]半导体工艺设备及其磁控管机构

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中的磁控管机构，其特征在于，包括：背板组件、活动磁极及固定磁极；

所述背板组件包括第一背板及第二背板，所述第二背板能相对于所述第一背板移动；

多个所述固定磁极设置于所述第一背板的底面上，多个所述活动磁极设置于所述第二背板的底面上；

当所述第二背板移动至预设位置时，多个所述活动磁极中的至少一个活动磁极与多个所述固定磁极中的至少一个固定磁极构成一呈闭合状态的磁控管，其它所述活动磁极及所述固定磁极呈非闭合状态，以使得多个固定磁极能与多个活动磁极组成不同的磁控管，从而用于执行不同工艺；其中，

多个所述固定磁极包括第一固定磁极及第二固定磁极，多个所述活动磁极包括第一活动磁极组及第二活动磁极组，所述预设位置包括第一预设位置和第二预设位置；所述第二背板移动至所述第一预设位置时，所述第一活动磁极组与所述第一固定磁极构成呈闭合状态的第一磁控管，所述第二活动磁极组与所述第二固定磁极呈非闭合状态，以执行靶材溅射工艺；所述第二背板移动至第二预设位置时，所述第二活动磁极组与所述第二固定磁极构成呈闭合状态的第二磁控管，所述第一活动磁极组与所述第一固定磁极呈非闭合状态，以执行靶材全靶腐蚀工艺。

2.如权利要求1所述磁控管机构，其特征在于，所述第一磁控管包括第一内磁极及第一外磁极，所述第一活动磁极组包括所述第一内磁极及部分所述第一外磁极，所述第二背板移动至所述第一预设位置时，所述第一固定磁极与所述第一活动磁极组的部分所述第一外磁极构成所述第一外磁极；所述第二磁控管包括第二内磁极及第二外磁极，所述第二活动磁极组包括所述第二内磁极及部分所述第二外磁极，所述第二背板移动至所述第二预设位置时，所述第二固定磁极与所述第二活动磁极组的部分所述第二外磁极构成所述第二外磁极。

3.如权利要求1所述的磁控管机构，其特征在于，所述背板组件还包括固定杆，所述第一背板为环形结构，并且与所述固定杆的两端连接；所述第二背板套设于所述第一背板内，并且能相对于所述第一背板旋转。

4.如权利要求3所述的磁控管机构，其特征在于，所述背板组件还包括定位件，两个所述定位件均设置于所述第二背板的顶面上，并且两个所述定位件分别与所述第一活动磁极组及所述第二活动磁极组对应设置；当所述第二背板旋转时，两个所述定位件与所述固定杆配合以将所述第二背板定位于所述第一预设位置或所述第二预设位置。

5.如权利要求4所述的磁控管机构，其特征在于，所述磁控管机构还包括有驱动装置，所述固定杆上开设有通孔，所述驱动装置的旋转轴可旋转的穿设于所述通孔内，并且与所述第二背板连接，用于驱动所述第二背板相对于所述第一背板旋转，在所述定位件与所述固定杆接触后同步带动所述第一背板旋转。

6.如权利要求5所述的磁控管机构，其特征在于，所述通孔内穿设有轴承，所述驱动装置的旋转轴穿过所述轴承后与所述第二背板连接。

7.如权利要求1至6的任一所述磁控管机构，其特征在于，所述第一活动磁极组及所述第二活动磁极组相对设置于所述第二背板上，所述第一固定磁极及所述第二固定磁极与所述第二背板的圆心之间呈一预设夹角，所述预设夹角的数值范围为大于30度且小于180度。

8.如权利要求7所述磁控管机构，其特征在于，所述预设夹角的数值为90度。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室及如权利要求1至8的任一所述半导体工艺设备中的磁控管机构，所述磁控管机构设置于所述工艺腔室的顶部。