[发明专利]显示屏、终端及显示方法在审
申请号: | 202010692632.4 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN111863896A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 李亮 | 申请(专利权)人: | OPPO(重庆)智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 刘晖铭;张颖玲 |
地址: | 401120 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 终端 显示 方法 | ||
本申请实施例公开了一种显示屏、终端及显示方法,所述显示屏由第一显示区域、第二显示区域以及第三显示区域构成,第二显示区域和第三显示区域是以传感器件的位置为中心设置的,第三显示区域位于第一显示区域和第二显示区域之间;第一显示区域按照第一像素密度设置多个第一像素;第二显示区域按照第二像素密度设置多个第二像素;第三显示区域按照第二像素密度设置多个第三像素;其中,第一像素密度大于第二像素密度;第三像素对应的尺寸参数大于第一像素对应的尺寸参数,第三像素对应的尺寸参数大于第二像素对应的尺寸参数。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示屏、终端及显示方法。
背景技术
随着科学技术的发展,手机的更新换代速度越来越快,目前屏占比成为产品差异化的重要标准,促使手机朝着全面屏的方向发展。为了实现终端的全面屏显示,常采用屏下集成前置摄像头的方式,即将摄像头隐藏于显示屏背面。
为了实现更好的屏下拍摄效果,通常采用局部区域降低像素密度(Pixels PerInch,PPI)的方式来提高前置摄像头区域的透光率,然而,局部区域像素密度的降低所造成的显示屏像素密度差异化,会导致显示屏高PPI正常显示区域与低PPI局部区域,存在明显的亮度差异,边界感较明显,降低了显示屏的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示屏及终端,能够缓解显示屏高PPI显示区域与低PPI局部区域之间的亮度差异,降低边界感,提升显示屏的显示效果,终端智能性更高。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种显示屏,所述显示屏由第一显示区域、第二显示区域以及第三显示区域构成,所述第二显示区域和所述第三显示区域是以传感器件的位置为中心设置的,所述第三显示区域位于所述第一显示区域和所述第二显示区域之间;
所述第一显示区域按照第一像素密度设置多个第一像素;所述第二显示区域按照第二像素密度设置多个第二像素;所述第三显示区域按照所述第二像素密度设置多个第三像素;其中,所述第一像素密度大于所述第二像素密度;
所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第一像素对应的尺寸参数,所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第二像素对应的尺寸参数。
第二方面,本申请实施例提供了一种终端,所述终端设置显示屏和传感器件;所述显示屏由第一显示区域、第二显示区域以及第三显示区域构成,所述第二显示区域和所述第三显示区域是以传感器件的位置为中心设置的,所述第三显示区域位于所述第一显示区域和所述第二显示区域之间;
所述第一显示区域按照第一像素密度设置多个第一像素;所述第二显示区域按照第二像素密度设置多个第二像素;所述第三显示区域按照所述第二像素密度设置多个第三像素;其中,所述第一像素密度大于所述第二像素密度;
所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第一像素对应的尺寸参数,所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第二像素对应的尺寸参数。
第三方面,本申请实施例提供了一种显示方法,所述显示方法应用于终端,所述终端设置显示屏和传感器件;所述显示屏由第一显示区域、第二显示区域以及第三显示区域构成,所述第二显示区域和所述第三显示区域是以传感器件的位置为中心设置的,所述第三显示区域位于所述第一显示区域和所述第二显示区域之间;所述第一显示区域按照第一像素密度设置多个第一像素;所述第二显示区域按照第二像素密度设置多个第二像素;所述第三显示区域按照所述第二像素密度设置多个第三像素;其中,所述第一像素密度大于所述第二像素密度;所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第一像素对应的尺寸参数,所述第三像素对应的尺寸参数大于所述第二像素对应的尺寸参数;所述显示方法包括:
接收显示指令;其中,所述显示指令携带目标图像的图像信息;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的