[发明专利]一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法

权利要求书

1.一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：晶圆上表面处理

对晶圆(1)上表面进行离子植入、黄光工艺处理，并制作金属触点(2)；

S2：沉积薄膜

使用PEVCD在晶圆(1)上表面沉积SiO₂和Si₃N₄薄膜(3)；

S3：一次polyimide厚膜涂布

在SiO₂和Si₃N₄薄膜(3)上涂布一层polyimide厚膜(4)，并以Mask曝光在金属触点(2)上打开一个面积小于金属触点(2)面积的金属触点窗口(5)；

S4：蚀刻

以金属触点窗口(5)的边界为Mask，使用Dry etch(RIE或plasma etch)蚀刻掉金属触点窗口(5)内的polyimide厚膜(4)和SiO₂和Si₃N₄薄膜(3)；

S5：镀Cu seed层

将蚀刻后的晶圆(1)用水清洗后，进行加热，完成polyimide厚膜(4)的进一步固化，然后在polyimide厚膜(4)表面、沿金属触点窗口(5)蚀刻的polyimide厚膜(4)和SiO₂和Si₃N₄薄膜(3)内壁以及金属触点(2)上镀上Cu seed层(6)；

S6：翻转

将晶圆(1)上下翻转，并将晶圆(1)上表面贴附在研磨胶带膜(7)上；

S7：研磨

对晶圆1下表面进行打磨；

S8：缓坡(阶梯)蚀刻

采用湿蚀刻加上环状气环或边缘喷洒保护方法，将晶圆(1)的下表面边缘蚀刻成缓坡状或者阶梯状；

S9：去除研磨胶带膜

将与晶圆(1)上表面粘附的研磨胶带膜(7)去除；

S10：晶圆下表面处理

对晶圆(1)下表面进行离子植入、黄光工艺处理，然后在其下表面蒸镀上Cu seed层(6)；

S11：二次polyimide厚膜涂布

在晶圆(1)下表面的Cu seed层(6)上涂布polyimide厚膜(4)；

S12：一次涂布光阻

在晶圆(1)下表面上的polyimide厚膜(4)上涂布光阻(8)，接着将polyimide厚膜(4)蚀刻掉；

S13：二次涂布光阻

将晶圆(1)上下翻转，并在晶圆(1)上表面的polyimide厚膜(4)上涂布光阻(8)，然后对其进行Mask曝光、显影、烘烤加工；

S14：注铜

在晶圆(1)的上下两个表面的光阻(8)之间分别注入铜，待冷却成铜件(9)后，将上下表面的光阻(8)蚀刻掉；

S15：除polyimide厚膜

将晶圆(1)下表面上剩余的polyimide厚膜(4)蚀刻掉；

S16：除Cu seed层

将晶圆(1)上下翻转后将其上下表面的Cu seed层(6)蚀刻掉；

S17：放置晶圆

将晶圆(1)上表面向下放置于切割膜框(10)上；

S18：切割

沿铜件(9)下表面铜件(9)的侧边进行裁剪。

2.根据权利要求1所述的一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法，其特征在于，所述SiO₂和Si₃N₄薄膜(3)的沉积厚度为0.5—1.5um。

3.根据权利要求1所述的一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法，其特征在于，所述S3涂布的polyimide厚膜(4)厚度大于10um。

4.根据权利要求1所述的一种双面厚膜电镀铜散热结构制作方法，其特征在于，所述S5晶圆(1)的加热环境为350℃-400℃，加热时间大于30min。