[发明专利]敏感元器件及其表面封釉方法在审
申请号: | 202010696855.8 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN111986863A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 李耀坤;肖倩;刘季超;林亚梅;朱建华;王智会 | 申请(专利权)人: | 深圳振华富电子有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C7/04;C03C8/00;C04B41/86 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 敏感 元器件 及其 表面 方法 | ||
1.一种敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取敏感元件芯片,所述敏感元件芯片包含第一电极区域、第二电极区域,将若干所述敏感元件芯片的所述第一电极区域层叠接触设置在基板上,所述第二电极区域背离所述基板设置;
对所述第二电极区域进行保护处理形成保护层,得到预处理的敏感元件芯片;
获取釉料,对所述预处理的敏感元件芯片进行喷釉处理后,烧结处理,形成釉层;
去除所述第二电极区域的所述保护层,在所述第一电极区域和所述第二电极区域制备电极,得到含有釉层的敏感元器件。
2.如权利要求1所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述喷釉处理的步骤包括:在喷釉量为30ml/min~90ml/min,喷釉气压为0.3Mpa~0.8Mpa,基板传送速度150cm/min~350cm/min,抽风速率为0.5m3/min~1.5m3/min的条件下,对所述预处理的敏感元件芯片进行喷釉处理;和/或
所述喷釉厚度为5微米~15微米。
3.如权利要求2所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述釉料包括如下重量份数的原料组分:
其中,所述溶剂包含有醋酸正丙脂、异丁醇和白矿油。
4.如权利要求3所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述粘合剂选自:聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇聚醋酸乙烯酯中的至少一种;和/或
所述增塑剂选自:邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、三甘醇二异辛酸酯、二甘醇二苯甲酸酯、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁脂、甘油中的至少一种;和/或
所述分散剂选自:乙二酸二甲脂、硬脂酰胺、乙烯基双硬脂酰胺、硬脂酸单甘油脂、三硬脂酸甘油酯中的至少一种;和/或
所述醋酸正丙脂、所述异丁醇与所述白矿油的重量比为(40~80):(15~40):(5~20)。
5.如权利要求1~4任一所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,将若干所述敏感元件芯片的所述第一电极区域层叠接触设置在基板上的步骤包括:按相邻所述敏感元件芯片之间的距离为所述敏感元件芯片垂直设立高度的5~10倍,将若干所述敏感元件芯片垂直粘附在所述基板上。
6.如权利要求5所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,对所述第二电极区域进行保护处理形成保护层的步骤包括:在所述第二电极区域沉积氧化物、环氧树脂、硅油中一种,沉积厚度为50微米~250微米。
7.如权利要求6所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述烧结处理的步骤包括:在温度为150℃~260℃的条件下烘烤1.5小时~4小时后,在温度为750℃~900℃的条件下烧结30分钟~60分钟。
8.如权利要求7所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述制备电极的步骤包括:将所述敏感元件芯片中第二电极区域的所述保护层打磨和/或洗脱去除后,在所述第一电极区域和所述第二电极区域通过电镀制备电极。
9.如权利要求1~4或6~8任一所述的敏感元器件的表面封釉方法,其特征在于,所述敏感元器件包括规格为1005、1608、2012、3216、3225、4532、5750、6053中的任意一种叠层片式敏感元器件。
10.一种敏感元器件,其特征在于,所述敏感元器件由如权利要求1~9任一所述的方法制得。
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