[发明专利]一种上转换微/纳米晶自组装结构及其自组装方法

权利要求书

1.一种上转换微/纳米晶自组装结构，其特征在于，其化学式为：

β-NaYF₄:m％Gd³⁺,x％Yb³⁺,y％M³⁺，其中：M³⁺为Er³⁺或者Tm³⁺，0≤m≤30，5≤x≤30，0.1≤y≤10；

或者β-NaYF₄:z％Eu³⁺，其中：0.1≤z≤10；

所述上转换微/纳米晶自组装结构为球形、棒状或者片状形貌，是具有因形貌而异的有序的自组装结构。

2.根据权利要求1所述的上转换微/纳米晶自组装结构，其特征在于，其化学式为β-NaYF₄:x％Yb³⁺,y％Er³⁺，其中5≤x≤30，0.1≤y≤10。

3.根据权利要求1所述的上转换微/纳米晶自组装结构，其特征在于，其颗粒尺寸为30nm至1.6μm。

4.根据权利要求1所述的上转换微/纳米晶自组装结构，其特征在于，其直径为30nm的球形形貌，直径为50-200nm且长度为220-1600nm棒状形貌，或者直径为170nm且厚度为64nm片状形貌。

5.一种权利要求1-4任意一项所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、制备球形、棒状或者片状形貌的上转换微/纳米晶；

步骤二、在步骤一制备的上转换微/纳米晶上修饰聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠；

步骤三、在步骤二制备的聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠修饰的上转换微/纳米晶上进一步修饰有机季铵盐脂肪醇聚乙二醚氯化铵；

步骤四、烘干所得沉淀，得粘稠状上转换微/纳米晶自组装结构。

6.根据权利要求5所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，步骤二中所述聚丙烯酸的分子量为1800至5000。

7.根据权利要求5所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，步骤二中所述聚丙烯酸钠的分子量为5100。

8.根据权利要求5所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，步骤二中采用高温交换或静电吸附法修饰聚丙烯酸或者聚丙烯酸钠。

9.根据权利要求5所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，上述制备的上转换微/纳米晶自组装结构可以经进一步使用涂抹、挤压或轻刷方法实现选择性组装取向。

10.根据权利要求5所述的上转换微/纳米晶自组装结构的自组装方法，其特征在于，球形上转换微/纳米晶形成六方密堆积阵列,棒状上转换微/纳米晶沿其长轴方向形成单一取向组装结构，片状上转换微/纳米晶组装为棒状物,然后通过棒侧面结合方式形成六方面密堆积结构。