[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202010696969.2 申请日: 2020-07-20
公开(公告)号: CN111785760B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 崔国意;高涛;王玉;李泽亮;杨鑫磊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H10K59/40 分类号: H10K59/40;H10K59/12;G09F9/30
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 解婷婷;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括:

基底、依次设置在所述基底上的驱动结构层、发光结构层、封装结构层、绝缘结构层和彩膜单元;其中,所述发光结构层包括多个发光单元,所述绝缘结构层设置有多个凹槽,所述凹槽与所述发光单元一一对应;所述彩膜单元填充在所述凹槽内,且上表面凸出所述凹槽;

其中,从靠近所述基底一侧到远离所述基底一侧,所述绝缘结构层包括依次设置的第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设置有桥电极;所述第二绝缘层远离所述基底一侧设置有第一触控电极和第二触控电极,所述第一触控电极沿平行于所述桥电极方向延伸,所述第二触控电极沿垂直于所述桥电极方向延伸,所述第一触控电极包括第一触控子电极和第二触控子电极,所述第一触控子电极和所述第二触控子电极分别通过过孔与所述桥电极连接,且在垂直于所述基底的平面上,所述第一触控子电极的正投影和所述第二触控子电极的正投影位于所述第二触控电极的正投影的两侧。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述基底的平面上,所述彩膜单元凸出所述凹槽的凸出部的横截面的形状包括圆弧形,或者,梯形,且所述梯形远离所述基底一侧的长度小于靠近所述基底一侧的长度。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在平行于所述基底的平面上,所述凹槽的正投影位于所述彩膜单元的正投影内部。

4.根据权利要求1至3任一所述的显示基板,其特征在于,所述封装结构层包括第一封装层、第二封装层;

所述绝缘结构层包括设置在所述第二封装层远离所述基底一侧的第三封装层。

5.根据权利要求1至3任一所述的显示基板,其特征在于,所述凹槽贯通所述绝缘结构层。

6.根据权利要求1至3任一所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述彩膜单元之间的黑矩阵,且在平行于所述基底的平面上,所述黑矩阵的正投影与所述彩膜单元的正投影部分重叠。

7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一触控电极和所述第二触控电极呈网格状分布,在平行于所述基底的平面上,所述黑矩阵的正投影与所述触控电极的正投影至少部分重叠。

8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至7任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法,包括:

在基底上依次形成驱动结构层和发光结构层;所述发光结构层包括多个发光单元;

在所述发光结构层远离所述基底一侧形成绝缘结构层,包括:在所述发光结构层上形成封装结构层;

在所述封装结构层上形成第一绝缘层,以及,形成设置在所述第一绝缘层上的桥电极;

形成覆盖所述桥电极的第二绝缘层,所述第二绝缘层开设有暴露出所述桥电极的过孔,以及开设有暴露出所述封装结构层的凹槽;

在所述第二绝缘层上形成第一触控电极和第二触控电极,所述第一触控电极沿平行于所述桥电极方向延伸,所述第二触控电极沿垂直于所述桥电极方向延伸,所述第一触控电极包括第一触控子电极和第二触控子电极,所述第一触控子电极和所述第二触控子电极分别通过过孔与所述桥电极连接,且在垂直于所述基底的平面上,所述第一触控子电极的正投影和所述第二触控子电极的正投影位于所述第二触控电极的正投影的两侧;所述绝缘结构层设置有多个凹槽,所述凹槽与所述发光单元一一对应;

在所述第二绝缘层远离所述基底一侧形成彩膜单元;所述彩膜单元填充在所述凹槽内,且上表面凸出所述凹槽。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在垂直于所述基底的平面上,所述彩膜单元凸出所述凹槽的凸出部的横截面的形状包括圆弧形,或者,梯形,且所述梯形远离所述基底一侧的长度小于靠近所述基底一侧的长度。

11.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在平行于所述基底的平面上,所述凹槽的正投影位于所述彩膜单元的正投影内部。

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