[发明专利]具有气隙的半导体元件结构及其制备方法

说明书

本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法，该半导体元件结构包含一第一导电结构以及一第二导电结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子以及一第二间隙子，该第一间隙子设置在该第一导电结构上，该第二间隙子设置在该第二导电结构上。该半导体元件结构还包括一第三间隙子与一第四间隙子，该第三间隙子设置在该第一间隙子的一侧壁上，该第四间隙子设置在该第二间隙子的一侧壁上。该第三间隙子的一下部贴近该第四间隙子的一下部，而该第三间隙子的该下部与该第四间隙子的该下部覆盖一气隙。

技术领域

本公开主张2019/09/23申请的美国正式申请案第16/578,814号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种半导体元件结构以及该半导体元件的制备方法。特别涉及一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法，该气隙位在多个导电层之间。

背景技术

对于许多现代化应用而言，半导体元件是不可或缺的。随着电子科技的进步，半导体元件的尺寸逐渐地变小的同时，提供较好的功能性以及包含更大量的集成电路。由于半导体元件规格的小型化，执行不同功能的半导体元件的各式形态与尺寸，整合并封装在一单一模块中。再者，执行许多制造操作以整合不同形式的半导体元件。

然而，半导体元件的制造与整合包含许多复杂步骤与操作。在半导体中的整合逐渐变得复杂。半导体元件的制造与整合的复杂度提升，可能造成缺陷(deficiencies)，例如在多个导电部件之间的一信号干扰(signal interference)。据此，持续改善半导体元件的制造流程是有需要的，以使所述缺陷改善。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一导电结构以及一第二导电结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子，设置在该第一导电结构上；以及一第二间隙子，设置在该第二导电结构上。该半导体元件结构还包括一第三间隙子，设置在该第一间隙子的一侧壁上；以及一第四间隙子，设置在该第二间隙子的一侧壁上。该第三间隙子的一下部贴近该第四间隙子的一下部，而该第三间隙子的该下部与该第四间隙子的该下部覆盖一气隙。

在本公开的一些实施例中，该第一导电结构与该第二导电结构以该气隙而分隔开。

在本公开的一些实施例中，该第一导电结构的一顶表面高于该第三间隙子的一底表面。

在本公开的一些实施例中，该第三间隙子以该第一间隙子而与该第一导电结构的该顶表面分隔开。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件结构，还包括一介电结构以及一第五间隙子，该介电结构与该第五间隙子设置在该第一导电结构上，其中该第一间隙子与该第五间隙子位在该介电结构的二相对侧壁上，而第一间隙子与该第五间隙子以相同材料所制。

在本公开的一些实施例中，该半导体元件结构还包括：一第一介电层，设置在该第一导电结构的一侧壁上，并被该第一间隙子所覆盖；以及一第二介电层，设置在该第二导电结构的一侧壁上，并被该第二间隙子所覆盖，其中该第一介电层与该第二介电层是以该气隙而分隔开。

在本公开的一些实施例中，该第一间隙子的一底表面直接接触该第三间隙子。