[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及其封装工艺在审
| 申请号： | 202010698631.0 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111816624A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 严邦杰;冯驰;林远;陈祥盼 | 申请（专利权）人： | 宁波力源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 石来杰 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 工艺 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于：包括晶圆(1)，所述晶圆(1)上设有金属焊垫(2)，所述金属焊垫(2)上对应设有金属触点(3)，所述晶圆(1)及金属焊垫(2)外包覆有塑封层(4)，所述金属触点(3)部分位于塑封层(4)外。
2.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述金属触点(3)的周侧包裹于塑封层(4)内，且所述金属触点(3)的上表面与塑封层(4)的上表面位于同一水平面上。
3.如权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述金属触点(3)的上、下表面均为圆形，且上表面的直径大于下表面的直径。
4.一种晶圆级芯片封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：
S1：在载物板(5)上设置晶圆(1)，在所述晶圆(1)的表面印刷形成至少两个间隔设置的金属焊垫(2)；
S2：在所述金属焊垫(2)上植入焊球(6)并冷却；
S3：通过熔融处理使所述焊球(6)熔化形成金属触点(3)；
S4：在晶圆(1)上切割形成凹槽(1a)；
S5：对晶圆(1)上的凹槽(1a)、金属焊垫(2)及所述金属触点(3)塑封处理以形成第一塑封层(41)；
S6：对晶圆(1)上部的所述第一塑封层(41)打磨减薄，以露出部分金属触点(3)；
S7：对晶圆(1)的下部打磨减薄以形成减薄晶圆；
S8：对所述减薄晶圆的下部塑封处理以形成第二塑封层(42)。
5.如权利要求4所述的晶圆级芯片封装工艺，其特征在于：所述减薄晶圆的厚度为150-300um。
6.如权利要求4所述的晶圆级芯片封装工艺，其特征在于：所述金属焊垫(2)的厚度为10-50um。
7.如权利要求4所述的晶圆级芯片封装工艺，其特征在于：减薄后的所述金属触点(3)的厚度为40-60um。
8.如权利要求4所述的晶圆级芯片封装工艺，其特征在于：减薄后的所述第一塑封层的高度为50-110um，所述第二塑封层的高度为40-150um。
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