[发明专利]一种SONOS存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有所述SONOS存储器的第一晶体管栅极和用以形成第二晶体管栅极的第一层，所述第一层覆盖所述第一晶体管栅极和所述衬底；

在所述第一层的上表面形成图案化的第二层，所述第二层暴露对应第二晶体管栅极外侧的第一层；

对被所述第二层暴露的第一层进行第一刻蚀；

去除所述第二层，以重新暴露所述第一层；以及

对所述第一层进行第二刻蚀，以形成所述第二晶体管栅极；其中

形成所述第二层进一步包括：

在所述对应第二晶体管栅极外侧的第一层的上表面形成阻挡层；

在未形成所述阻挡层的第一层的上表面形成所述第二层；以及

去除所述阻挡层；

对被所述第二层暴露的第一层进行第一刻蚀进一步包括：

部分刻蚀被所述第二层暴露的第一层，以定义垂直的第二晶体管栅极外侧；

对所述第一层进行第二刻蚀进一步包括：

一并刻蚀在所述第一刻蚀中未刻蚀的被所述第二层暴露的第一层，以形成垂直的第二晶体管栅极外侧。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述阻挡层进一步包括：

形成覆盖所述第一层的第三层；以及

对所述第三层进行刻蚀，保留对应所述第二晶体管栅极外侧的第三层为所述阻挡层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为氮化硅，所述第一层为多晶硅，所述在未形成所述阻挡层的第一层的上表面形成所述第二层进一步包括：

以所述阻挡层为阻挡，在未形成所述阻挡层的第一层区域进行氧化，以形成氧化硅材质的第二层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，去除所述阻挡层进一步包括：

采用具有高选择比的试剂湿法去除所述阻挡层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对被所述第二层暴露的第一层进行第一刻蚀进一步包括：

完全刻蚀被所述第二层暴露的第一层，以形成垂直的第二晶体管栅极外侧。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶体管栅极与所述第一层之间还形成有隔离层，所形成的所述第二晶体管栅极通过所述隔离层紧邻所述第一晶体管栅极。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底上形成有多个SONOS存储器的第一晶体管栅极，所述第一层覆盖多个第一晶体管栅极，所述第二层暴露对应多个第二晶体管栅极外侧的第一层；其中

对所述第一层进行所述第一刻蚀和所述第二刻蚀进一步包括：

同步地形成多个第二晶体管栅极。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，相邻的两个SONOS存储器的第一晶体管栅极和第二晶体管栅极对称设置。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述第一晶体管栅极和所述第二晶体管栅极的外侧形成侧墙。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶体管为存储管，所述第二晶体管为选择管；或者

所述第一晶体管为选择管，所述第二晶体管为存储管。

11.一种SONOS存储器，其特征在于，所述SONOS存储器由如权利要求1-10中任意一项所述的制造方法形成。