[发明专利]存储装置及存储装置的制造方法

说明书

本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储装置的制造方法。根据一实施方式，实施方式的存储装置包含：第1芯片(400)，包含绝缘层(61)及第1焊垫(73)；多个存储器部(51)，设置在绝缘层(61)的第1区域(A1)内，以第1间隔(Dp1)排列在与第1芯片(400)的表面平行的第1方向上；多个第1标记部(990)，设置在绝缘层(61)的第2区域(A2)内，以第2间隔(Dp2)排列在第1方向上；第2芯片(410)，在与第1芯片(400)的表面垂直的第2方向上与第1芯片(400)重叠，包含连接于第1焊垫(73)的第2焊垫(38)；及电路(CC)，设置在第2芯片(410)内。

相关申请案的引用

本申请案基于2020年3月24日提出申请的先前的日本专利申请案第2020-052006号的优先权而主张优先权利益，并通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储装置的制造方法。

背景技术

业界正在推进具有新颖构造的存储装置的研究及开发。

发明内容

本发明的实施方式谋求提高存储装置的制造工序的可靠性。

实施方式的存储装置包含：第1芯片，包含第1绝缘层及第1焊垫；多个存储器部，设置在所述第1绝缘层的第1区域内，以第1间隔排列在与所述第1芯片的表面平行的第1方向上；多个第1标记部，设置在所述第1绝缘层的第2区域内，以第2间隔排列在所述第1方向上；第2芯片，在与所述第1芯片的表面垂直的第2方向上与所述第1芯片重叠，包含连接于所述第1焊垫的第2焊垫；及电路，设置在所述第2芯片内。

根据所述构成，能够谋求提高存储装置的制造工序的可靠性。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储装置的构成例的框图。

图2是第1实施方式的存储装置的存储单元阵列的等效电路图。

图3是表示第1实施方式的存储装置的存储单元阵列的构成例的图。

图4是表示第1实施方式的存储装置的存储单元阵列的构成例的图。

图5是表示第1实施方式的存储装置的构造例的剖视图。

图6是表示第1实施方式的存储装置的构造例的俯视图。

图7是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图8是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图9是第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的俯视图。

图10是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图11是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图12是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图13是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图14是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图15是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图16是表示第1实施方式的存储装置的制造方法的一工序的剖视工序图。

图17是表示第2实施方式的存储装置的构成例的框图。

图18是第2实施方式的存储装置的存储单元阵列的等效电路图。