[发明专利]一种可见光与红外双波段光输运管探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010699949.0 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN111952395B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 王利明;孟令尧;孙浩;尤杰;胡辉勇;王斌;韩本光;舒斌 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李园园 |
地址: | 710000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 红外 波段 输运 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,包括:
在水表面制备按照预设方式排列的金属纳米球阵列,所述预设方式为所述金属纳米球阵列中的纳米球位于同一层且相邻两个纳米球之间没有间隙,或者,为所述金属纳米球阵列中的纳米球位于同一层且相邻两个纳米球之间间隔排列;
将Ge衬底置于所述水中,并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底;
对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理,得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列;
在具有所述金属纳米球阵列的所述Ge衬底的一面生长SiO2材料,直至所述SiO2材料将所述金属纳米球阵列完全包覆,得到SiO2层;
在所述SiO2层上制备MoS2层;
在所述MoS2层上制备第一正面电极和第二正面电极;
在所述Ge衬底下表面制备背面电极。
2.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,在水表面制备按照预设方式排列的金属纳米球阵列,包括:
将纳米球与水的混合液倒置在培养皿中;
向所述培养皿中加入正丁醇,形成水与正丁醇界面;
等待预设时间后在所形成的所述水与正丁醇界面的水与正丁醇之间形成按照所述预设方式排列的金属纳米球阵列;
抽取所述正丁醇,在水表面制备按照所述预设方式排列的金属纳米球阵列。
3.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,将Ge衬底置于所述水中,并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底,包括:
选取所述Ge衬底;
利用化学试剂对所述Ge衬底进行化学清洗;
将所述Ge衬底置于所述水中,并提取承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底。
4.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理,得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列,包括:
在200-400℃温度条件下,对承载有所述金属纳米球阵列的Ge衬底进行真空退火处理,得到层叠设置的所述Ge衬底和所述金属纳米球阵列。
5.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,在具有所述金属纳米球阵列的所述Ge衬底的一面生长SiO2材料,直至所述SiO2材料将所述金属纳米球阵列完全包覆,得到SiO2层,包括:
利用减压化学气相淀积方法在所述Ge衬底上生长SiO2材料,直至所述SiO2材料将所述金属纳米球阵列完全包覆;
对生长有SiO2材料的所述Ge衬底进行真空退火处理,得到所述SiO2层。
6.根据权利要求1所述的可见光与红外双波段光输运管探测器的制备方法,其特征在于,在所述SiO2层上制备MoS2层,包括:
利用二维材料专用胶带粘取MoS2材料;
将粘取有MoS2材料的二维材料专用胶带粘贴到所述SiO2层上,以在所述SiO2层上制备MoS2层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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