[发明专利]一种电沉积钴深度去除痕量镍的方法在审
| 申请号： | 202010702123.5 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111910215A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘丹;罗俊锋;徐国进;张巧霞;李勇军;贺昕;冯昭伟;高岩;滕海涛;刘芳 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08;C25C7/06;C22B23/00;C22B3/24;C22B3/42 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 深度 去除 痕量 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电沉积钴深度去除痕量镍的方法，其特征在于，所述方法为：
a)采用钴盐与水配成电沉积溶液；
b)调节电沉积溶液pH＜1，通过离子交换柱进行选择性除镍，离子交换柱中的交换树脂为螯合树脂CH27；
c)净化后的电沉积溶液进行不溶阳极电沉积提纯，电沉积后得到高纯钴；其中高纯钴中钴纯度为99.9995％以上，镍含量小于0.00002％。
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，步骤a)电沉积溶液中，钴离子浓度为40-50g/L，镍浓度低于0.010g/L。
3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤b)中，离子交换速率为2.0-3.0BV/h，树脂交换完成后溶液中镍含量降至低于0.001g/L。
4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤c)不溶阳极电沉积提纯温度为40-50℃，电流密度为20-30A/m2，电压为0.8-1.0V。
5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述步骤c)不溶阳极材料为钛涂铱电极、钛涂钌电极或钛涂钌铱电极，阴极材料为钛板。
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