[发明专利]一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法

权利要求书

1.一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，通过基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波调制器进行实现，所述太赫兹波调制器包括聚合物柔性衬底(1)、外延层(2)、绝缘层(3)和狄拉克半金属微结构(4)，所述狄拉克半金属微结构(4)上设置有金薄层和(5)铬薄层(6)，所述铬薄层(6)设置在金薄层(1)上，所述外延层(2)设置在聚合物柔性衬底(1)上，所述绝缘层(3)设置在外延层(2)上，所述狄拉克半金属微结构(4)为太赫兹波调制器的有源区，设置在绝缘层(3)上，所述狄拉克半金属微结构(4)和外延层(2)之间施加有外电压，改变对应的费米能级，从而调节共振谱线的波形。

2.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述狄拉克半金属微结构(4)的材质为3D狄拉克半金属。

3.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述外延层(2)中设有半导体，作为太赫兹波调制器的背电极。

4.根据权利要求3所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述半导体为硅。

5.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述狄拉克半金属微结构(4)的结构单元为十字形、开口环形或椭圆形。

6.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述狄拉克半金属微结构(4)的微结构单元的材质为砷化镉。

7.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述绝缘层(3)的材质为SiO₂或者Al₂O₃。

8.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述聚合物柔性衬底(1)的材质为聚苯乙烯或聚四氟乙烯。

9.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述狄拉克半金属微结构(4)的厚度为100-1000nm。

10.根据权利要求1所述的一种基于狄拉克半金属微结构的太赫兹波电控调制方法，其特征在于，所述绝缘层(3)的厚度为10-100nm，所述外延层(2)的厚度为1-10nm，所述聚合物柔性衬底(1)的厚度为1-10nm。