[发明专利]聚焦环和包括其的基板处理装置

权利要求书

1.基板处理装置，包括：

工艺腔室，提供用于基板的工艺处理空间；

卡盘，支承所述基板；以及

聚焦环，布置为围绕所述卡盘的边缘，

其中，所述聚焦环包括具有不同性质的多个层，以及

所述多个层之间的接合表面形成为预先设定的图案。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个层包括：

保护层，作为所述多个层中的最上侧层，并且由耐蚀刻性的材质构成；以及

静电力产生层，布置在所述保护层的下侧，并且由产生静电力的材质构成。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述保护层由碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钇(Y₂O₃)或氮化铝(AlN)材料制成。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层由硅(Si)材料制成。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层由介电常数高于所述保护层的介电常数的材质构成。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述静电力产生层是单层，或者包括具有不同的介电常数的多个层。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个层之间的接合表面具有相对于地面倾斜的形状。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述接合表面具有相对于所述地面倾斜的形状，使得所述多个层中的一个层的厚度随着远离所述基板而变小，并且所述多个层中的另一个层的厚度随着远离所述基板而变大。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述接合表面为平面或曲面。

10.聚焦环，包括：

保护层，布置为围绕支承基板的卡盘的边缘，具有环形状，并且由耐蚀刻性的材质构成；以及

静电力产生层，布置在所述保护层的下侧，具有环形状，并且由产生静电力的材质构成，

其中，所述保护层与所述静电力产生层之间的接合表面形成为预先设定的图案。

11.根据权利要求10所述的聚焦环，其中，所述保护层由碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钇(Y₂O₃)或氮化铝(AlN)材料制成。

12.根据权利要求10所述的聚焦环，其中，所述静电力产生层由硅(Si)材料制成。

13.根据权利要求10所述的聚焦环，其中，所述静电力产生层由介电常数高于所述保护层的介电常数的材质构成。

14.根据权利要求11所述的聚焦环，其中，所述静电力产生层是单层，或者包括具有不同的介电常数的多个层。

15.根据权利要求10所述的聚焦环，其中，所述接合表面具有相对于地面倾斜的形状。

16.根据权利要求15所述的聚焦环，其中，所述接合表面具有相对于所述地面倾斜的形状，使得所述保护层和所述静电力产生层中的一个层的厚度随着远离所述基板而变小，并且所述保护层和所述静电力产生层中的另一个的厚度随着远离所述基板而变大。

17.根据权利要求15所述的聚焦环，其中，所述接合表面为平面或曲面。