[发明专利]一种使用多连接通孔结构改进通孔的方法和系统

权利要求书

1.一种方法，包括：

获得与电路中的初始通孔结构相关联的版图信息，初始通孔包括通过初始切口连接的初始下金属包围和初始上金属包围；

确定与多连接通孔结构相关联的版图信息，所述多连接通孔结构包括多个孪生通孔，所述多个孪生通孔具有至少一个附加上金属包围和至少一个附加下金属包围，其中：

所述多个孪生通孔通过多个对应的孪生切口连接；并且

所述多连接通孔结构具有与所述初始通孔结构相比较低的电阻；

用与所述多连接通孔结构相关联的版图信息对与所述初始通孔相关联的版图信息进行更新；以及

输出经更新的版图信息。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个孪生通孔电连接至所述初始通孔结构中的初始通孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使用主模板来表示所述多连接通孔结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

使用主模板来表示所述多连接通孔结构；并且

所述主模板包括配置数据，所述配置数据指定如何基于所述初始通孔结构来导出所述多连接通孔结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述多连接通孔结构相关联的版图信息的确定包括：在与所述初始通孔相关联的多个预定义的多连接通孔结构中进行选择。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述多连接通孔结构相关联的版图信息的确定包括：

指定在接近所述初始通孔的位置处的所述至少一个附加上金属包围和所述至少一个附加下金属包围；以及

指定至少一个孪生通孔以将所述至少一个附加下金属包围与所述至少一个附加上金属包围电连接。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初始上金属包围布局在初始上轨线上，所述初始下金属包围布局在初始下轨线上，所述至少一个上金属包围的附加上金属包围布局在与所述初始上轨线邻近的轨线上，并且所述至少一个下金属包围的附加下金属包围布局在与所述初始下轨线邻近的轨线上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述电路中的工艺节点指定为7nm或更小。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述版图信息是从执行所述电路的布局和布线的布局和布线系统获得的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述版图信息是从不执行布线的布局器获得的。

11.一种系统，包括：

一个或更多个处理器，其被配置成：

获得与电路中的初始通孔结构相关联的版图信息，初始通孔包括通过初始切口连接的初始下金属包围和初始上金属包围；

确定与多连接通孔结构相关联的版图信息，所述多连接通孔结构包括多个孪生通孔，所述多个孪生通孔具有至少一个附加上金属包围和至少一个附加下金属包围；其中：

所述多个孪生通孔通过多个对应的孪生切口连接；并且

所述多连接通孔结构具有与所述初始通孔结构相比较低的电阻；

用与所述多连接通孔结构相关联的版图信息对与所述初始通孔相关联的版图信息进行更新；以及

输出经更新的版图信息；以及

耦接至所述一个或更多个处理器的一个或更多个内存，所述一个或更多个内存被配置成向所述处理器提供指令。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述多个孪生通孔电连接至所述初始通孔结构中的初始通孔。

13.根据权利要求11所述的系统，其中，确定与所述多连接通孔结构相关联的版图信息包括：在与所述初始通孔相关联的多个预定义的多连接通孔结构中进行选择。