[发明专利]非晶薄膜形成方法在审

申请号：	202010704396.3	申请日：	2016-05-09
公开（公告）号：	CN111799153A	公开（公告）日：	2020-10-20
发明（设计）人：	申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐	申请（专利权）人：	株式会社EUGENE科技
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/3205;C23C16/22;C23C16/24;C23C16/38;C23C16/42;B82Y40/00
代理公司：	北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456	代理人：	许玉顺
地址：	韩国京畿道龙***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	薄膜形成方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明涉及形成非晶薄膜的方法。根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；在上述种子层供给包括含硼气体的第一源气体而形成掺杂有硼的第一非晶薄膜的工序；以及在上述第一非晶薄膜供给包括含硼气体的第二源气体而形成掺杂有硼的第二非晶薄膜的工序。

本申请是申请号201680023468.X(申请日：2016年05月09日，发明名称：非晶薄膜形成方法)的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及形成非晶薄膜的方法，更详细地涉及形成掺杂硼的第一非晶薄膜之后形成掺杂硼的第二非晶薄膜来最小化第二非晶薄膜的表面粗糙度的成膜方法。

背景技术

在低温(小于300度)蒸镀非晶薄膜(amorphous thin film)的情况下，若掺杂硼，则表面粗糙度急剧下降。特别是，若将非晶薄膜的目标厚度设为则难以形成表面粗糙度(RMS)0.3nm以下的非晶薄膜。因此，需要可以改善这个温度的技术。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供一种可以最小化非晶薄膜的表面粗糙度的成膜方法。

本发明的其它目的根据下面的详细说明和附图会变得更加清楚。

问题解决方案

根据本发明的一实施例，形成非晶薄膜的方法包括：在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；及在上述种子层上形成既定厚度的非晶薄膜的工序；其中，形成上述非晶薄膜的工序包括：在上述种子层上形成第一非晶薄膜的工序，该第一非晶薄膜掺杂硼并具有第一厚度；在上述第一非晶薄膜上形成第二非晶薄膜的工序，该第二非晶薄膜掺杂硼并具有第二厚度；使用于形成上述第一非晶薄膜的工序的第一源气体包括含硼气体及硅烷系气体且供给到上述种子层；使用于形成上述第二非晶薄膜的工序的第二源气体包括含硼气体且与上述第一源气体不同，而且被供给到上述第一非晶薄膜。

上述硼类气体可以是B2H6。

包含在上述第一源气体的硅烷系气体可以是SiH4。

包含在上述第二源气体的硅烷系气体是Si2H6，上述第二非晶薄膜是硅薄膜，形成上述第一非晶薄膜的工序在300度进行，形成上述第二非晶薄膜的工序可以在400度进行。

包含在上述第二源气体的硅烷系气体中SiH4和Si2H6以4：1的比率混合，上述第二非晶薄膜可以是硅薄膜。

上述第二源气体还包含硅烷系气体及含锗气体，包含在上述第二源气体的硅烷系气体和含锗气体可以按1：2混合。

包含在上述第二源气体的硅烷系气体是SiH4，上述第二非晶薄膜是硅薄膜，上述第一源气体包含15000sccm的N2，上述第二源气体可以包含5000sccm的N2，3000sccm的H2。

上述第二源气体包含含锗气体，上述第二非晶薄膜可以是锗薄膜。

上述第一厚度为以上以下，上述第二厚度是以上。

上述既定的厚度为以上。

发明效果

根据本发明的一实施例，形成第一薄膜之后形成第二薄膜，从而可以最小化第二薄膜的表面粗糙度。

附图说明