[发明专利]一种铝掺锑化铟薄膜、磁阻传感元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010704973.9 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111864056A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;尤健;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;H01L21/203;G01R33/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铝掺锑化铟 薄膜 磁阻 传感 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种铝掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，该薄膜为In1-xAlxSb薄膜，其中x的取值范围为0.05≤x≤0.15。
2.一种如权利要求1所述的铝掺杂锑化铟薄膜的制造方法，其特征在于，步骤如下：
将基底加热到350～400℃，同时加热InSb、AlSb两个蒸发源，真空蒸镀形成In1-xAlxSb层，并在400℃下退火处理1～4小时；
所述的真空蒸镀过程中，真空度高于7×10-4帕，腔内温度在100℃以上，所述的InSb、AlSb蒸发源的纯度均大于99.9995％，且根据In1-xAlxSb中x的取值，按化学计量配比加过量Sb源5～15％以弥补Sb的损失。
3.根据权利要求2所述的铝掺杂锑化铟薄膜制造方法，其特征在于，所述的基底为氧化铝陶瓷、硅或者蓝宝石衬底。
4.根据权利要求2所述的铝掺杂锑化铟薄膜制造方法，其特征在于，若基底为氧化铝陶瓷或蓝宝石时，在蒸镀形成In1-xAlxSb层前，先将基底加热到200～250℃，加热In源真空蒸镀形成In缓冲层；其中，In源纯度大于99.9995％，蒸镀所需真空度高于7×10-4帕，腔内温度在100℃以上。
5.根据权利要求1所述的铝掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，所述的铝掺杂锑化铟薄膜的厚度为2-4μm。
6.根据权利要求4所述的铝掺杂锑化铟薄膜，其特征在于，所述的In缓冲层的厚度为In1-xAlxSb层的厚度的10％。
7.一种磁阻传感元件，其特征在于，采用如权利要求1所述的铝掺杂锑化铟薄膜作为磁传感部。
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