[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202010705063.2 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN112750864A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 李现范;丁进焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本公开涉及一种显示设备,所述显示设备包括第一子像素和第二子像素,第一子像素和第二子像素位于包括第一过孔和第二过孔的平坦化层上。第一子像素包括第一像素限定层,第一像素限定层包括暴露第一像素电极的与第一发射部分对应的部分的第一开口。第一像素电极通过第一过孔连接到第一像素电路。第二子像素包括第二像素限定层,第二像素限定层包括暴露第二像素电极的与第二发射部分对应的部分的第二开口。第二像素电极通过第二过孔连接到第二像素电路。被定义为从第二开口的内表面至第二过孔的最短距离的第二距离大于被定义为从第一开口的内表面至第一过孔的最短距离的第一距离。
本申请要求于2019年10月30日提交的第10-2019-0136907号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请出于所有目的通过引用被包含于此,如同在本文中充分地阐述一样。
技术领域
一个或多个实施例一般地涉及显示设备,且更具体地,涉及具有改善的可靠性的显示设备。
背景技术
在显示设备中,由于有机发光显示设备具有诸如宽视角、优异的对比度和快速的响应时间的各种优点,因此有机发光显示设备作为下一代显示设备已经引起关注。通常,在有机发光显示设备中,薄膜晶体管和有机发光二极管形成在基底上,并且有机发光二极管自身发光。这样的有机发光显示设备可以用作诸如移动电话等的相对小型产品的显示单元,或者可以用作诸如电视机等的相对大型产品的显示单元。为了改善光提取效率并确保增加的室外可见度,有机发光显示设备可以使用偏振器作为可以选择性地透射或阻挡入射光的垂直或水平偏振波的膜,或者还可以使用具有偏振功能的滤色器和光阻挡层以改善有机发光显示设备的柔性。
在本部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景,因此,上述信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
在传统的显示设备中使用具有偏振功能的滤色器和光阻挡层的结构的情况下,可能发生出现绿色反射色带的问题。因此,一些方面试图提供一种能够通过防止出现绿色反射色带而改善可靠性的显示设备。
附加方面将在下面的详细描述中进行阐述,且从本公开中所述附加方面将部分地是明显的,或者可以通过实践本发明构思来获知所述附加方面。
根据一些方面,显示设备包括第一平坦化层、第一子像素和第二子像素。所述第一平坦化层包括第一过孔和第二过孔。所述第一子像素包括第一像素电极和第一像素限定层。所述第一像素电极布置在所述第一平坦化层上,并通过所述第一过孔电连接到第一像素电路。所述第一子像素还包括第一发射部分和围绕所述第一发射部分的第一非发射部分。所述第一像素限定层布置在所述第一像素电极上,并包括暴露所述第一像素电极的与所述第一发射部分对应的部分的第一开口。第二子像素包括第二像素电极和第二像素限定层。所述第二像素电极布置在所述第一平坦化层上,并通过所述第二过孔电连接到第二像素电路。所述第二子像素还包括第二发射部分和围绕所述第二发射部分的第二非发射部分。所述第二像素限定层布置在所述第二像素电极上,并包括暴露所述第二像素电极的与所述第二发射部分对应的部分的第二开口。被定义为从所述第二开口的内表面至所述第二过孔的最短距离的第二距离大于被定义为从所述第一开口的内表面至所述第一过孔的最短距离的第一距离。
根据一些方面,所述第一平坦化层还包括第三过孔;并且所述显示设备还包括第三子像素,所述第三子像素包括第三像素电极和第三像素限定层,所述第三子像素布置在所述第一平坦化层上并通过所述第三过孔电连接到第三像素电路,所述第三子像素包括第三发射部分和围绕所述第三发射部分的第三非发射部分,所述第三像素限定层布置在所述第三像素电极上并包括暴露所述第三像素电极的与所述第三发射部分对应的部分的第三开口。
根据一些方面,被定义为从所述第三开口的内表面至所述第三过孔的最短距离的第三距离小于所述第二距离。
根据一些方面,所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔在平面上以之字形图案布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的