[发明专利]布拉格光栅及其制备方法、分布反馈激光器有效

专利信息
申请号: 202010707847.9 申请日: 2020-07-21
公开(公告)号: CN111769437B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 孙维忠;赵桑之;李洵 申请(专利权)人: 厦门市三安集成电路有限公司
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/22
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 王文宾
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 布拉格 光栅 及其 制备 方法 分布 反馈 激光器
【权利要求书】:

1.一种布拉格光栅,设置于分布反馈激光器中,其特征在于,包括:依次形成的折射率具有差异的下光栅波导层、中光栅波导层以及上光栅波导层,所述中光栅波导层的折射率低于所述下光栅波导层的折射率和所述上光栅波导层的折射率,所述下光栅波导层与所述中光栅波导层的掺杂类型相同,所述上光栅波导层的掺杂类型与相邻层级的掺杂类型相反,用于在所述上光栅波导层形成反偏PN结,所述上光栅波导层沿分布反馈激光器的腔长方向间隔形成有多个凹槽,所述凹槽内填充有掩埋层,以平坦所述上光栅波导层。

2.如权利要求1所述的布拉格光栅,其特征在于,所述布拉格光栅设置于所述分布反馈激光器的P侧,所述下光栅波导层和所述中光栅波导层为P型掺杂,所述上光栅波导层为N型掺杂。

3.如权利要求1所述的布拉格光栅,其特征在于,所述布拉格光栅设置于所述分布反馈激光器的N侧,所述下光栅波导层和所述中光栅波导层为N型掺杂,所述上光栅波导层为P型掺杂。

4.如权利要求1所述的布拉格光栅,其特征在于,所述掩埋层与所述中光栅波导层的材料相同。

5.如权利要求1所述的布拉格光栅,其特征在于,所述掩埋层与所述上光栅波导层之间还形成有浸润层,所述浸润层与所述掩埋层的材料相同。

6.如权利要求1所述的布拉格光栅,其特征在于,所述下光栅波导层和所述上光栅波导层均采用铟镓砷磷材料,所述中光栅波导层采用磷化铟材料。

7.一种分布反馈激光器,其特征在于,采用如权利要求1至6任一项所述的布拉格光栅。

8.如权利要求7所述的分布反馈激光器,其特征在于,包括N型衬底,以及依序形成于所述N型衬底上的N型缓冲层、下限制层、有源层、上限制层、隔离层、所述布拉格光栅、P型隔离层、P型腐蚀停止层、P型上包层以及P型顶部覆盖层,其中,所述布拉格光栅的上光栅波导层背离所述N型衬底,且所述上光栅波导层为N型掺杂。

9.如权利要求7所述的分布反馈激光器,其特征在于,包括N型衬底,以及依序形成于所述N型衬底上的N型缓冲层、所述布拉格光栅、下限制层、有源层、上限制层、隔离层、P型隔离层、P型腐蚀停止层、P型上包层、P型顶部覆盖层,其中,所述布拉格光栅的上光栅波导层背离所述N型衬底,且所述上光栅波导层为P型掺杂。

10.一种布拉格光栅的制备方法,其特征在于,包括:

依序形成下光栅波导层、中光栅波导层以及上光栅波导层,其中,所述下光栅波导层与所述中光栅波导层的掺杂类型相同,所述上光栅波导层的掺杂类型与相邻层级的掺杂类型相反,用于在所述上光栅波导层形成反偏PN结;

刻蚀所述上光栅波导层以在所述上光栅波导层上形成间隔设置的多个凹槽,其中,各所述凹槽沿分布反馈激光器的腔长方向排列;

形成掩埋层,以使所述掩埋层填充所述凹槽。

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