[发明专利]一种芯片制备方法及芯片在审
| 申请号： | 202010708169.8 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN111816602A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 诸舜杰;岳瑞芳;董建新;钟添宾 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制备 方法 | ||
1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括，
提供晶圆本体，所述晶圆本体上形成有多个芯片；
在所述晶圆本体正面间隔设置的第一金属层上方形成金属柱；
在所述晶圆本体正面设置覆盖所述金属柱的第一固定层；
对所述晶圆本体背面进行减薄处理，并在所述晶圆本体背面形成第二金属层；
在所述第二金属层远离晶圆本体的一面上设置第二固定层，随后去除第一固定层；
并对所述晶圆本体进行分割处理，获得多个芯片。
2.如权利要求1所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述第一固定层和所述第二固定层材质相同。
3.如权利要求2所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述第一固定层和所述第二固定层为薄膜状材质。
4.如权利要求3所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述第一固定层与所述第二固定层靠近晶圆本体的一面上设置有粘性材料，所述第一固定层和第二固定层通过粘性材料分别粘合在所述晶圆本体的正面和背面上。
5.如权利要求1所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述在所述晶圆本体背面通过电镀方式形成第二金属层。
6.如权利要求1所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述第一金属层为铝金属层，所述第二金属层从内到外依次包括附加层镍硅金属层和铜金属层，所述金属柱为铜金属柱。
7.如权利要求1至4任一项所述的一种芯片制备方法，其特征在于，所述芯片为MOS管。
8.一种芯片，其特征在于，所述芯片通过权利要求1至7任一项所述的一种芯片制备方法制得。
9.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述晶圆本土的厚度为不大于35微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
