[发明专利]一种EEPROM芯片传递式测试方法及系统

说明书

本发明公开一种EEPROM芯片传递式测试方法，单次并行测试n颗芯片，对第一个芯片进行数据源的先写后读，读出的数据由测试机写入下一颗芯片并读出，以此类推，数据总共进行n‑1次传递，然后将从第n颗芯片读出的数据与PC机所给的源数据进行对比。若对比结果一致，则所有n颗被测芯片功能均正常，此时只需对比一次，而现有技术的测试方法的对比次数与测试芯片的数量相同，需对比n次；若对比结果不一致，则将前n‑1颗被测芯片的数据与源数据对比n‑2次，找出所有不良品，现有测试过程中，对比不一致的概率很小。本发明还公开一种EEPROM芯片传递式测试系统。本发明缩短了测试机测试EPPROM读写功能的时间和数据对比的时间，测试效率大大提高。

技术领域

本发明属于芯片测试技术领域，具体涉及一种EEPROM芯片传递式测试方法及系统。

背景技术

现有EPPROM芯片功能测试的方法为：设单次并行测试片数为n(1≤n≤16，n∈N+)，对n个EPPROM全地址先写后读，将读取的EPPROM数据与PC机所给的源数据进行比对，判断芯片的性能，测试n个EPPROM，则与PC机所给的源数据进行对比的次数为n-1，n越大，测试机逻辑运算和布尔运算的时间越长，该测试方法测试时间长，测试效率低，占用测试机的资源多。

发明内容

本发明解决的技术问题：现有的测试方法测试时间长，测试效率低，占用测试机的资源较多。

技术方案：为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明公开一种EEPROM芯片传递式测试方法，单次并行测试n颗芯片，对第一个芯片进行数据源的先写后读，读出的数据由测试机写入下一颗芯片并读出，以此类推，数据总共进行n-1次传递，然后将从第n颗芯片读出的数据与PC机所给的源数据进行对比。

作为优选，如果从第n颗芯片读出的数据与PC机所给的源数据一致，则n颗芯片全部为合格品；如果从第n颗芯片读出的数据与PC机所给的源数据不一致，则存在不良品。

作为优选，出现不良品时，每颗芯片读出的数据与源数据进行一一对比。

作为优选，如果从第n颗芯片读出的数据与PC机所给的源数据一致，则对比次数为1次，若出现不良品，则对比次数为n-1次。

作为优选，从每颗芯片读出的数据存储在测试机中，以供出现不良品时进行数据对比。

作为优选，单次并行测试的芯片数1≤n≤16，n∈N。

本发明还公开一种实现EEPROM芯片传递式测试方法的系统，包括主控器PC、基于向量的PXI数字通道板卡、供电单元和被测芯片，所述主控器PC通过基于向量的PXI数字通道板卡与被测芯片连接，所述供电单元与被测芯片连接为被测芯片供电。

作为优选，所述供电单元与被测芯片之间设置有场效应管，所述基于向量的PXI数字通道板卡与场效应管连接，所述基于向量的PXI数字通道板卡通过场效应管控制被测芯片断电和上电。

作为优选，测试时，基于向量的PXI数字通道板卡控制场效应管导通，供电单元施加标准电压给被测芯片，控制器PC发送清零数据通过基于向量的PXI数字通道板卡将被测芯片清零，控制器PC再将测试源数据通过基于向量的PXI数字通道板卡发送给被测芯片DUT1，发送完毕后基于向量的PXI数字通道板卡控制场效应管MOSFET1，DUT1先失电再重新上电，读出DUT 1数据进行存储，并将读出值写入下一颗DUT...直到读出DUTn的数据并存储，将DUTn的数据与源数据进行比较是否一致，若一致，则n颗DUT功能均正常；不一致，则将前n-1颗DUT的数据与源数据对比n-2次，找出所有不良品。

有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下优点：