[发明专利]摄像面板

说明书

一种摄像面板，在基板上具备：光电转换元件；第1配线层，其与光电转换元件俯视时不重叠，比光电转换元件的阳极靠基板侧设置；以及第2配线层，其相对于光电转换元件设置在与基板相反的一侧。在第1配线层与上述第2配线层之间设置有与光电转换元件及第1配线层俯视时重叠的第1绝缘层。另外，设置有贯通第1绝缘层的第1开口和第2开口，在第1开口中第1配线层与上述第2配线层连接，在第2开口中阳极与第2配线层连接。在比第1配线层靠基板侧，在与第1开口俯视时重叠的位置配置有电独立地设置在基板上的调整用金属层。

技术领域

以下公开的发明涉及摄像面板。

背景技术

特开2011-114310号公报所公开的光电转换装置具备形成有多个像素的阵列基板，在阵列基板上，在各像素中设置有薄膜晶体管(TFT)和光电二极管。光电二极管的上部电极被第2钝化膜覆盖。在上部电极上形成有贯通第2钝化膜的接触孔(以下称为接触孔H1)，偏置配线与上部电极经由接触孔H1连接。另外，TFT的源极电极被第1钝化膜和第2钝化膜覆盖。在源极电极上形成有贯通第1钝化膜和第2钝化膜的接触孔(以下称为接触孔H2)，数据线与源极电极经由接触孔H2连接。

然而，在上述光电转换装置中，第1钝化膜和第2钝化膜由相同的材料构成，因此有时会使用光刻法同时形成接触孔H1和接触孔H2。接触孔H1设置在光电二极管的上部电极之上，接触孔H2设置在比光电二极管的上部电极靠下层的位置。因此，形成接触孔H2的位置处的光致抗蚀剂的深度比形成接触孔H1的位置处的光致抗蚀剂的深度大。用于形成接触孔H1和接触孔H2的光致抗蚀剂的曝光量是按照形成接触孔H1和接触孔H2的位置处的光致抗蚀剂的深度较大的一方来设定。其结果是，通过曝光形成的光致抗蚀剂的开口在形成接触孔H2的位置处比在形成接触孔H1的位置处以研钵状变大。形成接触孔H2的位置越接近光电二极管，光致抗蚀剂的膜厚越易于变薄。在这种情况下，光电二极管易于受到由此后的蚀刻导致的损伤，这成为光电二极管的暗电流增加的原因。

发明内容

鉴于上述问题而完成的摄像面板具备：基板；光电转换元件，其设置在上述基板上；第1配线层，其与上述光电转换元件俯视时不重叠，比上述光电转换元件的阳极靠上述基板侧设置；第2配线层，其相对于上述光电转换元件设置在与上述基板相反的一侧；第1绝缘层，其设置在上述第1配线层与上述第2配线层之间，与上述光电转换元件及上述第1配线层俯视时重叠；第1开口，其贯通上述第1绝缘层，用于连接上述第1配线层和上述第2配线层；第2开口，其贯通上述第1绝缘层，用于连接上述阳极和上述第2配线层；以及调整用金属层，其与上述第1开口俯视时重叠，比上述第1配线层靠上述基板侧设置，上述调整用金属层电独立地设置在上述基板上。

根据上述构成，能够提供不易产生光电二极管的暗电流的摄像面板。

附图说明

图1是示出第1实施方式的X射线摄像装置的概要构成的示意图。

图2是示出图1所示的摄像面板的概要构成的俯视图。

图3是将图2所示的摄像面板的一部分像素放大的俯视图。

图4A是图3所示的像素的A-A线的概要截面图。

图4B是图3所示的像素的B-B线的概要截面图。

图5A是示出摄像面板的制造工序的截面图，并且是示出在基板上形成有栅极电极和调整用配线的状态的截面图。

图5B是示出在图5A所示的栅极电极和调整用配线上形成栅极绝缘膜、TFT的半导体活性层、以及源极电极及漏极电极的工序的截面图。

图5C是示出在图5B所示的TFT上形成第1绝缘膜及其开口的工序的截面图。

图5D是示出在图5C所示的第1绝缘膜上形成下层下部电极和中继配线的工序的截面图。