[发明专利]一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 202010709846.8 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111943650B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 活化 等离子 沉积 技术 iwo 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材，其特征在于，包含有氧化铟、掺杂元素钨；所述掺杂元素钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.003～0.05；所述IWO靶材还包含有占所述IWO靶材的总重量比在5～600ppm的硅元素；
所述硅元素的加入方式为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种；
所述用于活化等离子沉积技术的IWO靶材的制备方法包括以下步骤：
S1：按配比称取氧化铟和掺杂元素钨的氧化物，将其混匀后经过高温处理，获得具有方铁锰矿结构且固溶有钨的氧化铟晶相粉末；
S2：加入硅元素到步骤S1得到的具有方铁锰矿结构且固溶有钨的氧化铟晶相粉末中，混匀后压制成型，得到所需尺寸的坯体；
S3：将步骤S2得到的坯体烧结，即得所述的一种用于活化等离子沉积技术的IWO靶材；
步骤S3中，所述烧结的温度为700～1100℃。
2.根据权利要求1所述的IWO靶材，其特征在于，还包括掺杂元素x，所述掺杂元素x为钛(Ti)、钼(Mo)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种，钨与所述掺杂元素x的总含量以(W+x)/(In+W+x)的原子数比计为0.003～0.05。
3.根据权利要求1所述的IWO靶材，其特征在于，所述硅元素在所述IWO靶材中的含量为20～60ppm。
4.根据权利要求1所述的IWO靶材，其特征在于，步骤S1中，所述高温处理的温度为1300-1600℃。
5.根据权利要求1所述的IWO靶材，其特征在于，步骤S1中，所述高温处理的时间为2-72h。
6.根据权利要求1所述的IWO靶材，其特征在于，步骤S3中，所述烧结的时间为2-72h。
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