[发明专利]一种太阳能电池以及制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：层叠的第一子电池、第一隧穿结层、第二子电池、第二隧穿结层、第三子电池以及位于所述第一隧穿结层和所述第二子电池之间的变质缓冲层，所述变质缓冲层包括至少两层缓冲层和位于所述至少两层缓冲层背离所述第一子电池一侧的过冲层，所述至少两层缓冲层中各缓冲层的晶格常数位于所述第一子电池和所述第二子电池的晶格常数之间；

其中，所述变质缓冲层包括至少两层缓冲层和位于所述至少两层缓冲层背离所述第一子电池一侧的过冲层，所述至少两层缓冲层包括层叠的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第二缓冲层形成时预设化合物的摩尔比大于所述第一缓冲层形成时预设化合物的摩尔比，所述过冲层形成时预设化合物的摩尔比大于所述至少两层缓冲层中各缓冲层形成时预设化合物的摩尔比；所述预设化合物的摩尔比为五族源与三族源的摩尔比。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少两层缓冲层中各缓冲层包括两层子缓冲层，靠近所述第二子电池的子缓冲层形成时预设化合物的摩尔比大于靠近所述第一子电池的子缓冲层形成时预设化合物的摩尔比。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少两层缓冲层中各缓冲层形成时预设化合物的摩尔比沿所述第一子电池至所述第二子电池方向逐渐增大。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层形成时五族源与三族源的摩尔比的取值范围为10～100，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层中各缓冲层为InGaAs层或InGaP层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层中各缓冲层为AlInGaAs层或AlInGaP层。

7.根据权利要求1-3、5-6任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层中各缓冲层的厚度取值范围为200nm～500nm，包括端点值。

8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

制作第一子电池；

在所述第一子电池第一侧表面形成第一隧穿结层；

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧形成变质缓冲层；

在所述变质缓冲层背离所述第一子电池一侧依次形成第二子电池、第二隧穿结层和第三子电池；

其中，所述变质缓冲层包括至少两层缓冲层和位于所述至少两层缓冲层背离所述第一子电池一侧的过冲层，所述至少两层缓冲层包括层叠的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第二缓冲层形成时预设化合物的摩尔比大于所述第一缓冲层形成时预设化合物的摩尔比，所述过冲层形成时预设化合物的摩尔比大于所述至少两层缓冲层中各缓冲层形成时预设化合物的摩尔比；所述预设化合物的摩尔比为五族源与三族源的摩尔比。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面形成变质缓冲层包括：

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面依次形成至少两层缓冲层；

在所述至少两层缓冲层背离所述第一隧穿结层一侧表面形成过冲层；

其中，所述至少两层缓冲层中各缓冲层包括两层子缓冲层，靠近所述第二子电池的子缓冲层形成时预设化合物的摩尔比大于靠近所述第一子电池的子缓冲层形成时预设化合物的摩尔比。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面形成变质缓冲层包括：

在所述第一隧穿结层背离所述第一子电池一侧表面依次形成至少两层缓冲层；

在所述至少两层缓冲层背离所述第一隧穿结层一侧表面形成过冲层；

其中，所述至少两层缓冲层中各缓冲层形成时预设化合物的摩尔比沿所述第一子电池至所述第二子电池方向逐渐增大。