[发明专利]照明器、光刻装置和调整曝光辐射的强度均一性的方法

说明书

一种照明器包括：第一琢面镜面，接收且反射曝光辐射；可调整屏蔽元件，安置于第一琢面镜面上，可调整屏蔽元件调整由第一琢面镜面反射的曝光辐射的强度均一性；以及第二琢面镜面，接收且反射由第一琢面镜面反射的曝光辐射。

技术领域

本发明的一些实施例涉及一种具有照明器的光刻装置和用于调整曝光辐射的强度均一性的方法。

背景技术

半导体集成电路(semiconductor integrated circuit；IC)产业已经历指数成长。IC材料和设计的技术进展已生产数代IC，其中每一代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片区域互连装置的数目)一般会增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或管线))会减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关联成本来提供益处。此类按比例缩小还增加了IC处理和制造的复杂性。

举例来说，对执行较高分辨率光刻工艺的需求在增长。一种光刻技术是极紫外光刻(extreme ultraviolet photolithography；EUVL)。EUVL采用在极紫外(extremeultraviolet；EUV)区中使用波长是约1纳米到100纳米的光的扫描器。一种类型的EUV光源是激光产生的等离子(laser-produced plasma；LPP)。LPP技术通过将大功率激光束聚焦到小锡液滴靶上以形成高度电离等离子来产生EUV光，所述高度电离等离子发射具有约13.5纳米下的峰值最大发射的EUV辐射。EUV光随后由集光器收集且由光学元件朝向光刻靶衬底(例如，晶片)反射。集光器由于锡污染而劣化。

发明内容

根据本公开的一个方面，照明器包括：第一琢面镜面(facet mirror)，接收且反射曝光辐射；可调整屏蔽元件，安置于第一琢面镜面上，可调整屏蔽元件调整由第一琢面镜面反射的曝光辐射的强度均一性；以及第二琢面镜面，接收且反射由第一琢面镜面反射的曝光辐射。

根据本公开的另一实施例，光刻装置包括：光源，提供曝光辐射；照明器，接收曝光辐射且包括第一琢面镜面和第二琢面镜面，其中第一琢面镜面包括能够调整由第一琢面镜面反射的曝光辐射的强度均一性的第一屏蔽元件；光罩载台，其中在照明器中传递的曝光辐射由第一琢面镜面和第二琢面镜面依序反射，由第二琢面镜面反射的曝光辐射照射到由光罩载台承载的光罩上；投影系统；以及晶片载台，其中由光罩反射的曝光辐射通过投影系统来投影到由晶片载台承载的半导体晶片上。

根据本公开的另一实施例，方法包括：提供包括第一琢面镜面和第二琢面镜面的照明器，其中第一琢面镜面包括安置在其上的第一可调整屏蔽元件；将曝光辐射照射到第一琢面镜面上；以及通过第一可调整屏蔽元件来调整由第一琢面镜面反射的曝光辐射的强度均一性。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本公开的一个实施例的光刻装置的示意图。

图2A是绘示根据本公开的一个实施例的清洁的集光器的示意图。

图2B是绘示根据本公开的一个实施例的受污染的集光器的示意图。

图3A是绘示在集光器是清洁情况下的集光器图像的图片。

图3B是绘示在集光器是清洁情况下的第二琢面镜面的光瞳图像的图片。

图3C是绘示在集光器是清洁情况下的半导体晶片上的内部CDU的图片。

图4A是绘示在集光器受污染的情况下的集光器图像的图片。

图4B是绘示在集光器受污染的情况下的第二琢面镜面的光瞳图像的图片。