[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本申请涉及显示技术领域，提供了一种发光二极管及其制备方法。本申请所提供的发光二极管的制备方法包括：提供基质和分散有n型半导体的浆料，将浆料在基质上进行成膜处理，形成湿膜；采用电子束扫描湿膜以实现对所述湿膜进行退火处理，形成电子功能层。该法短暂而有效，大大降低了退火时间，从而降低了器件与水氧接触的风险，有利于提升器件的使用寿命；同时，短暂而有效的电子束退火还降低了膜层的粗糙程度，提高了膜层结晶度，从而提高了电阻率。此外，采用电子束扫描湿膜以进行退火处理的方法，使得由电子束产生的高温主要作用于湿膜，避免了高温对器件内部结构造成破坏，整体上提高了器件的发光性能。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)主要由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等功能膜层构成类似p-i-n结的结构，电子与空穴的平衡是影响器件性能的重要因素，因此如何优化电子和空穴的传输效率直接影响了QLED器件寿命与性能的提升。

目前，常采用旋涂法制备电子功能层，将包含电子功能层材料的浆料旋涂在发光层上形成湿膜，并在惰性气体环境中使用加热板连接形成有发光层的基质，从而对湿膜加热至一定温度进行退火处理，以加速湿膜中的溶剂挥发。然而，这类退火工艺存在多方面的缺陷，影响着器件的发光性能。例如，长时间的热处理容易造成器件内部结构损伤，导致荧光淬灭，而短时间热处理形成的膜层质量较差，同样会导致器件发光性能降低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种发光二极管的制备方法，以及一种发光二极管，旨在解决现有退火工艺难以兼顾器件内部结构完整以及膜层质量的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种发光二极管的制备方法，包括以下制备电子功能层的步骤：

提供基质和分散有n型半导体的浆料，将所述浆料在所述基质上进行成膜处理，形成湿膜；

采用电子束扫描所述湿膜以实现对所述湿膜进行退火处理，形成电子功能层。

第二方面，本申请提供一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，以及设置在所述发光层和所述阴极之间的电子功能层，且所述电子功能层由上述制备方法制得。

本申请第一方面提供的发光二极管的制备方法，将分散有n型半导体材料的浆料在基质上形成湿膜之后，采用电子束扫描湿膜，使得湿膜表面迅速升温至退火温度，以进行退火处理，从而形成电子传输层。该法短暂而有效，大大降低了退火时间，从而降低了器件与水氧接触的风险，有利于提升器件的使用寿命；同时，短暂而有效的电子束退火还降低了膜层的粗糙程度，提高了膜层结晶度，从而提高了电阻率。此外，采用电子束扫描薄膜进行退火处理的方法，使得由电子束产生的高温主要作用于湿膜，避免了高温对器件内部结构造成破坏，整体上提高了器件的发光性能。

本申请第二方面提供的发光二极管，其电子功能层由上述制备方法制得，电子功能层致密平整，并兼顾了器件内部结构完整，具有良好的发光性能和使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种发光二极管的制备方法流程图；

图2为本申请实施例提供的一种发光二极管的结构简图；

图3为实施例1中采用红外激光进行退火处理的示意图；

图4为对比例1中退火处理的示意图；