[发明专利]一种硒化锡基热电材料、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 202010710025.6 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111710775A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王泓翔;蒋俊;谈小建;刘国强;胡皓阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锡基 热电 材料 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒化锡基热电材料，其特征在于，包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种，
Sn1-2x(AM)xSe1-2xN2x 式Ⅰ
其中，元素A选自Ag；
元素M选自Sb、Bi中的至少一种；
元素N选自Se、Te中的至少一种；
x的取值范围为：0.15＜x＜0.5。
2.根据权利要求1所述的硒化锡基热电材料，其特征在于，所述硒化锡基热电材料为立方相。
3.权利要求1或2所述的硒化锡基热电材料的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括：
将含有Sn源、A源、M源、Se源和N源的原料，置于真空条件下，熔融、冷却，得到粉体；
将所述粉体高温烧结，即可得到所述硒化锡基热电材料；
所述Sn源、A源、M源、Se源和N源的加入量满足式Ⅰ中各元素的摩尔配比。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述原料中Sn源选自Sn单质；A源选自A单质；M源选自M单质；Se源选自Se单质；N源选自N单质。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述熔融的条件为：熔融温度900～950℃；熔融时间2～5h。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结的条件为：360～560℃下保持3～60min。
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