[发明专利]电磁屏蔽膜在审
| 申请号： | 202010710051.9 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113973480A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 刘开煌;付松;虞成城 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 汪黎 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 | ||
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括依次层叠设置的基体、过渡层、良导体层和保护层；所述过渡层的材质为过渡金属、过渡金属合金和过渡金属氧化物中的至少一种；所述良导体层的材质为金属。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基体为PET薄膜、PEN薄膜或PI薄膜。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述过渡层包括第一过渡层和/或第二过渡层，所述第一过渡层层叠设置在所述基体和第二过渡层之间；所述第一过渡层的材质为NixCry合金或TiOz，x+y＝100，y≥15，1.5≤z≤2；所述第二过渡层的材质为Ti。
4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一过渡层的厚度为2～100nm；所述第二过渡层的厚度为2～100nm。
5.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述良导体层的材质为银或铜；所述良导体层的电阻率小于或等于1.5*10-6Ω·m。
6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述良导体层的厚度为5～100nm。
7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述保护层包括第一保护层，所述第一保护层的材质为TiOz，1.8≤z＜2；所述第一保护层的电阻率小于或等于1.5*10-2Ω·m。
8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一保护层的厚度为10～200nm。
9.根据权利要求7所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述保护层还包括第二保护层，所述第二保护层层叠设置在所述良导体层和第一保护层之间；所述第二保护层的材质为Ti或NixCry合金，x+y＝100，y≥15。
10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二保护层的厚度为5～100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市信维通信股份有限公司，未经深圳市信维通信股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010710051.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
