[发明专利]非接触式判断半导体材料导电类型的方法

权利要求书

1.非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于，该方法具体是：

在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极；所述的测量电极和参考电极为尺寸形状相同的透明导电玻璃；测量电极和参考电极的正投影在待测半导体晶片范围内，同时二者之间的中心距离大于电极自身尺寸的3倍；

测量电极和参考电极靠近待测半导体晶片表面，导电玻璃的导电面朝下，面对晶片表面，测量电极和参考电极与待测半导体晶片表面距离相同；

将测量电极的导电面接运算放大器的同向输入端，参考电极的导电面接运算放大器的反向输入端，运算放大器的输出端接检测仪器；

在测量电极正上方设置光源，光源出射光通过凸透镜，透过测量电极后聚焦在待测半导体晶片表面；

检测时，首先关闭光源，调节运算放大器的偏置使输出电压V0为0；然后开启光源，使测量电极正下方的晶片局部表面的温度逐步升高，同时检测仪器监测运算放大器的输出端；当监测到运算放大器有信号输出时，关闭光源；等待3～5秒后，通过检测仪器检测运算放大器的输出电压极性：如果输出电压极性为正，则半导体材料为P型；如果输出电压极性为负，则半导体材料为N型。

2.如权利要求1所述的非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于：所述的运算放大器为前级是MOS器件的仪表放大器。

3.如权利要求1所述的非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于：所述的检测仪器为万用表。

4.如权利要求1所述的非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于：所述的检测仪器为数据采集系统。