[发明专利]在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法在审
| 申请号： | 202010710244.4 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113053716A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王志佑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 期间 等离子体 放电 进行 辨认 寻址 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法，包括：
由一个或多个相机拍摄半导体工艺腔室的图像；
由控制系统对所述图像进行处理；以及
由所述控制系统基于所述图像来探测所述半导体工艺腔室内的所述等离子体放电。
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