[发明专利]刷新控制电路以及使用该刷新控制电路的半导体器件

权利要求书

1.一种刷新控制电路，包括：

振荡器，被配置为响应于片层类型区别信号来产生振荡信号；

控制块，耦合到所述振荡器和多路复用块，并且被配置为响应于刷新命令和所述振荡信号来输出刷新周期信号，以及响应于片层匹配信号、片层标识码和所述刷新周期信号来产生刷新起始信号；以及

比较块，被配置为判断从所述刷新控制电路的外部提供的片层地址和片层标识码是否彼此对应，并产生所述片层匹配信号。

2.根据权利要求1所述的刷新控制电路，其中，所述控制块包括：

第一信号组合单元，被配置为将刷新脉冲和第一振荡信号进行组合；

第二信号组合单元，被配置为将第二振荡信号和振荡使能信号进行组合；

振荡使能信号发生单元，被配置为响应于所述第一信号组合单元的输出、所述第二信号组合单元的输出以及刷新模式区别信号来产生振荡使能信号；

刷新周期信号发生单元，被配置为将响应于所述第一信号组合单元的输出、所述第二信号组合单元的输出以及层叠模式区别信号而产生的第一预刷新周期信号或从所述刷新控制电路的外部接收的第二预刷新周期信号产生为所述刷新周期信号；以及

自刷新起始信号发生单元，被配置为将由响应于所述刷新模式区别信号来对所述刷新周期信号进行计数而得到的计数信号与所述片层标识码进行比较，并且产生自刷新起始信号。

3.根据权利要求2所述的刷新控制电路，其中，所述第二振荡信号的周期短于所述第一振荡信号的周期。

4.根据权利要求2所述的刷新控制电路，其中，所述控制块还包括：

自动刷新起始信号发生单元，被配置为响应于所述刷新模式区别信号、所述刷新周期信号和所述片层匹配信号来产生自动刷新起始信号。

5.一种半导体器件，包括经由穿通孔电极电耦合的多个片层，

其中，所述多个片层中的任意一个片层被配置为响应于刷新命令来产生刷新周期信号，并经由穿通孔电极将刷新周期信号传输到其它片层，以及

其中，其它片被配置为根据所述刷新周期信号的脉冲之中的、与比较相对应的不同脉冲而在不同的定时执行刷新操作；

其中，所述比较是通过将片层标识码与对所述刷新周期信号进行计数而得到的计数信号进行比较来进行的。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述任意一个片层是主片层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个片层中的每个包括刷新控制电路。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述刷新控制电路包括：

振荡器，被配置为响应于片层类型区别信号来产生振荡信号；

多路复用块，被配置为响应于层叠模式区别信号来产生刷新模式区别信号；以及

控制块，其耦合到所述振荡器和所述多路复用块，并且被配置为响应于所述刷新命令和所述振荡信号来输出刷新周期信号，以及响应于所述片层标识码和所述刷新周期信号来产生刷新起始信号。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，控制块包括：

第一信号组合单元，被配置为将刷新脉冲和第一振荡信号进行组合；

第二信号组合单元，被配置为将第二振荡信号和振荡使能信号进行组合；

振荡使能信号发生单元，被配置为响应于所述第一信号组合单元的输出、所述第二信号组合单元的输出以及所述刷新模式区别信号来产生所述振荡使能信号；

刷新周期信号发生单元，被配置为将响应于所述第一信号组合单元的输出、所述第二信号组合单元的输出以及所述层叠模式区别信号而产生的第一预刷新周期信号或从所述半导体器件的外部接收的第二预刷新周期信号产生为所述刷新周期信号；以及

自刷新起始信号发生单元，被配置为将由响应于所述刷新模式区别信号来对所述刷新周期信号计数而得到的计数信号与所述片层标识码进行比较，并且产生自刷新起始信号。