[发明专利]一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备有效
申请号: | 202010710368.2 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111690913B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 周继承;徐伟 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人: | 谢秀娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 屏蔽 磁场 增强 平板 pecvd 设备 | ||
1.一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:包括壳体(9)、沿送料方向设置在所述壳体(9)内部的至少两个等离子体发生装置,所述等离子体发生装置下方设置有基片台(7),所述等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导,所述等离子体发生装置顶部设置有上进气管(2),所述等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管(6);所述壳体(9)底部连通有真空机组(10);
所述同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管(3)、铜天线(4)、微波屏蔽管(5),所述石英玻璃管(3)在所述铜天线(4)外侧,所述微波屏蔽管(5)设置在所述石英玻璃管(3)、铜天线(4)之间,所述微波屏蔽管(5)侧壁上下两端设有开口(501);所述开口(501)为棱形,所述开口(501)棱形的小端设置在所述微波屏蔽管(5)两端,所述开口(501)棱形的中部大端设置在所述微波屏蔽管(5)的中间。
2.根据权利要求1所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述等离子体发生装置包括屏蔽罩(11)和设置在所述屏蔽罩(11)上表面的条形磁铁(1),所述屏蔽罩(11)的外侧壁上设置有所述条形磁铁(1),所述上进气管(2)设置在所述屏蔽罩(11)顶部,所述下进气管(6)设置在所述屏蔽罩(11)底部两侧;所述屏蔽罩(11)的横截面为等腰梯形。
3.根据权利要求2所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述壳体(9)、屏蔽罩(11)为无磁或弱磁的不锈钢材料,所述不锈钢材料为不锈钢304、321、316、310中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述条形磁铁(1)为合金永磁材料或者铁氧体永磁材料。
5.根据权利要求1所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述铜天线(4)、微波屏蔽管(5)材料为紫铜,所述铜天线(4)为实心圆柱,半径范围为3~5mm,所述铜天线(4)长度大于所述壳体(9)宽度,所述铜天线(4)两端连接有微波源。
6.根据权利要求1所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述微波屏蔽管(5)内径范围为7~12mm,所述微波屏蔽管(5)外径范围为9~14mm,所述开口(501)为棱形,所述开口(501)棱形的小端设置在所述微波屏蔽管(5)两端,所述开口(501)棱形的中部大端设置在所述微波屏蔽管(5)的中间。
7.根据权利要求1所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述石英玻璃管(3)介电常数在3.5~4.7之间,所述石英玻璃管(3)内径范围为10~15mm,所述石英玻璃管(3)外径范围为12~17mm,所述石英玻璃管(3)与大气连通。
8.根据权利要求1所述的一种微波屏蔽管及磁场增强平板式PECVD设备,其特征在于:所述基片台(7)下方设置有加热板(8)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的