[发明专利]一种磷化铟晶片的位错测定方法在审
| 申请号： | 202010711466.8 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112082992A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 傅伟力;李勇;刘留;苏小平 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 测定 方法 | ||
1.一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，在位错腐蚀前先采用手工抛光液对磷化铟晶片进行手工抛光。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述手工抛光液由甲醇和液溴组成，甲醇和液溴的体积比为3-6:0.5-1，甲醇及液溴的质量分数均为99.5％或者99.5％以上。
3.根据权利要求1或2所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，包括如下步骤：
用研磨液将磷化铟晶片表面的锯纹磨掉；
采用手工抛光液对磷化铟晶片进行手工抛光；
采用手工抛光液抛光过后的磷化铟晶片放入一号腐蚀液中腐蚀后冲洗干净，再放入二号腐蚀液中腐蚀，腐蚀完成后取出冲洗干净，干燥，利用光学显微镜测定EPD密度。
4.根据权利要求3所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述一号腐蚀液中包含硫酸，所述硫酸的质量分数为98％。
5.根据权利要求3所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述二号腐蚀液中包含氢溴酸，所述氢溴酸的质量分数为48％。
6.根据权利要求4所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述一号腐蚀液由纯水、硫酸和双氧水组成，纯水、硫酸和双氧水的体积比为0.8-1.2:3-6:10-15，所述双氧水的质量分数为30％－32％。
7.根据权利要求5所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述二号腐蚀液由磷酸和氢溴酸组成，磷酸和氢溴酸的体积比为1-3:0.7-1.5，磷酸的质量分数为85％。
8.根据权利要求4或6所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述一号腐蚀液的腐蚀时间为1-3分钟。
9.根据权利要求5或7所述的一种磷化铟晶片的位错测定方法，其特征在于，所述二号腐蚀液的腐蚀时间为7-8分钟。
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