[发明专利]基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片及其制备方法

权利要求书

1.一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，包括：依次设置的第一衬底样片、多层介质层和第二衬底样片；所述第一衬底样片、所述多层介质层和所述第二衬底样片依次设置的方向为第一方向；

所述第一衬底样片的第一面上设置多个第一凹槽，每个所述第一凹槽内均具有与所述第一衬底样片的第一面齐平的第一填充介质；其中，所述第一衬底样片的第一面为与所述第一方向垂直且与所述多层介质层相接触或背离的一面，每个所述第一凹槽的第一端与所述第一衬底样片的第一面的边缘齐平，且每个所述第一凹槽的第一端内的第一填充介质的端面距离所述第一凹槽的第一端的端面预设距离，所述第一凹槽的第一端为所述第一凹槽的任一端；所述第一凹槽内未设置所述第一填充介质的部分为第一寻迹凹槽；

所述第二衬底样片的第一面上设置多个第二凹槽，每个所述第二凹槽内均具有与所述第二衬底样片的第一面齐平的第二填充介质；其中，所述第二衬底样片的第一面为与所述第一方向垂直且与所述多层介质层相接触或背离的一面，每个所述第二凹槽的第一端与所述第二衬底样片的第一面的边缘齐平，且每个所述第二凹槽的第一端内的第二填充介质的端面距离所述第二凹槽的第一端的端面预设距离，所述第二凹槽的第一端与所述第一凹槽的第一端处于同一平面内，所述第二凹槽内未设置所述第二填充介质的部分为第二寻迹凹槽。

2.如权利要求1所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，每个所述第一凹槽或每个所述第二凹槽的宽度为0.2μm～0.5μm。

3.如权利要求2所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，

相邻两个第一凹槽之间的间隔范围为每个第一凹槽的宽度的2～5倍；

相邻两个第二凹槽之间的间隔范围为每个第二凹槽的宽度的2～5倍。

4.如权利要求1-3任一项所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，所述多个第一凹槽的位置与所述多个第二凹槽的位置对应。

5.如权利要求4所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，

任意的相邻两个第一凹槽之间的间隔相同；

或者，任意的相邻两个第二凹槽之间的间隔相同。

6.如权利要求1所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，所述多层介质层包括依次设置的第一保护层、第一介质层、线宽标准尺寸介质层、第二介质层和第二保护层。

7.如权利要求6所述的基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，其特征在于，所述第一介质层对应的介质、所述第二介质层对应的介质、所述第一填充介质以及所述第二填充介质的材料均相同。

8.一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片的制备方法，其特征在于，包括：

在第一原始衬底样片的第一面上刻蚀多个第一凹槽，并在所述多个第一凹槽内填充第一填充介质；以及在第二原始衬底样片的第一面上刻蚀多个第二凹槽，并在所述多个第二凹槽内填充第二填充介质；

在填充了所述第一填充介质的第一面上或者填充了所述第一填充介质的第一面的对应面上生长原始多层介质层；

将填充了所述第二填充介质的第一面或者填充了所述第二填充介质的第一面的对应面与所述原始多层介质层键合，获得原始线宽标准样片；其中，键合后所述多个第一凹槽的排列方向与所述多个第二凹槽的排列方向相同；

垂直于所述第一原始衬底样片的第一面，沿所述多个第一凹槽的排列方向对所述原始线宽标准样片进行划片，获得多个子原始线宽标准样片；

对每个子原始线宽标准样片表面的所述第一填充介质和所述第二填充介质进行刻蚀，使刻蚀后每个所述第一凹槽内的第一填充介质的端面距离所述第一凹槽的第一端的端面预设距离，每个所述第二凹槽内的第二填充介质的端面距离所述第二凹槽的第一端的端面预设距离，获得基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片，所述第一凹槽的第一端为所述第一凹槽的任一端，所述第二凹槽的第一端为与所述第一凹槽的第一端位置齐平的一端。