[发明专利]一种发光器件、显示装置有效
申请号: | 202010712641.5 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN111799386B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 尤娟娟;王琳琳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/18 | 分类号: | H10K50/18;H10K50/12;H10K85/60 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括第一电极和第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光单元,所述发光单元包括层叠设置的电子阻挡掺杂层、蓝光主体层、蓝光主体掺杂层;
其中,所述电子阻挡掺杂层包括电子阻挡主体材料和掺杂在所述电子阻挡主体材料中的第一客体材料;所述蓝光主体层包括第一蓝光主体材料;所述蓝光主体掺杂层包括第二蓝光主体材料和掺杂在所述第二蓝光主体材料中的第二客体材料;
所述第一蓝光主体材料的单重态能级分别大于所述第一客体材料的单重态能级和所述第二客体材料的单重态能级;
所述蓝光主体层通过三重态-三重态湮灭使三重态激子发生碰撞生成发光的单重态激子,所述蓝光主体层中单重态激子通过能量转移至所述第一客体材料或所述第二客体材料实现发光。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光单元还包括电子阻挡层和电子传输层;所述电子阻挡层位于所述第一电极和所述电子阻挡掺杂层之间;所述电子传输层位于所述第二电极和所述蓝光主体掺杂层之间;
所述第一蓝光主体材料的单重态能级分别小于所述电子阻挡层和所述电子传输层的单重态能级。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一客体材料与所述第二客体材料相同,所述第一蓝光主体材料和所述第二蓝光主体材料相同。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述电子阻挡主体材料为TAPC或者TCTA,所述第一蓝光主体材料和所述第二蓝光主体材料均为PO-T2T、MADN、B3PyPPM中的任一种,所述第一客体材料与所述第二客体材料均为BD或者DSA-ph。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述电子阻挡掺杂层中,所述第一客体材料的体积掺杂浓度小于或者等于10%。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述电子阻挡掺杂层的厚度范围为0-6nm,所述蓝光主体层的厚度范围为1-6nm。
7.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述第一客体材料的体积掺杂浓度为5%,所述电子阻挡掺杂层的厚度为3nm,所述蓝光主体层的厚度为3nm。
8.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述发光单元还包括空穴传输层,所述空穴传输层位于所述第一电极和所述电子阻挡层之间。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其特征在于,所述发光单元还包括空穴注入层和电子注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极和所述空穴传输层之间,所述电子注入层位于所述第二电极和所述电子传输层之间。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的发光器件。
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