[发明专利]一种TiAlSiN梯度硬质涂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010713478.4 申请日: 2020-07-22
公开(公告)号: CN111690901A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 兰睿;卢国英;石昌仑 申请(专利权)人: 常州夸克涂层科技有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/02
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 梅洪玉
地址: 213000 江苏省常州市武进区常武中路18号常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 tialsin 梯度 硬质 涂层 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种TiAlSiN梯度硬质涂层,包括基体,基体的顶部附着有Cr打底层,Cr打底层的顶部附着有成分梯度变化TiAlSiN层,TiAlSiN梯度层的顶部附着有TiSiN层,TiAlSiN梯度层中各元素的原子百分比含量变化范围为,Ti:25‑45at%,Al:10‑25at%,Si:2‑8at%,根据沉积偏压不同,成分依次变化。本发明,具有增加TiAlSiN涂层与基体的结合力、增强刀具的使用寿命的优点。

技术领域

本发明涉及硬质镀膜领域,特别涉及一种TiAlSiN梯度硬质涂层及其制备方法。

背景技术

TiAlN涂层是一种硬度高,耐磨性好,抗高温氧化性好的硬质合金涂层,广泛应用于切削刀具和机械零件的表面改性。通过将Si引入TiAlN体系,Si与N原子结合形成表面非晶相Si3N4,可以使TiAlN涂层具有更优异的力学性能和更好的热稳定性,能够显著提高被涂层后刀具的使用寿命。但是,由于TiAlSiN涂层的高硬度特征,使其使其与基体的各项力学性能差异较大,容易导致应力集中,造成膜基结合失效。有研究表明,随着沉积时弧电流增大,涂层的硬度会增大,但同时残余应力也会随着增大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TiAlSiN梯度硬质涂层及其制备方法,通过梯度的改变沉积弧电流,使其接近基体处的膜层残余应力较小,接近表面的膜层硬度较大。通过合理设计,既减小了涂层和基底之间的硬度差异和应力,提高膜基结合力,又可以维持TiAlSiN涂层自身、增加TiAlSiN涂层与基体的结合力、增强刀具的使用寿命的优点。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

一种TiAlSiN梯度硬质涂层,包括基体,所述基体的顶部附着有Cr打底层,所述Cr打底层的顶部附着有成分梯度变化TiAlSiN层,所述TiAlSiN梯度层的顶部附着有TiSiN层,所述TiAlSiN梯度层中各元素的原子百分比含量变化范围为,Ti:25-45at%,Al:10-25at%,Si:2-8at%,根据沉积弧电流不同,成分相应变化。

包括以下步骤:

步骤1、在基体上表面采用电弧离子镀沉积Cr打底层;

步骤2、在Cr打底层上通过改变弧电流沉积TiAlSiN梯度层;

步骤3、在TiAlSiN梯度层上沉积TiSiN层。

其中优选方案如下:

优选的:具体操作步骤如下:

1)将基体材料设置在真空室中的旋转支架上,将真空室抽真空至基本压力1.0×10-3Pa以下,加热至500-700℃;然后,用纯度至少为99.99%Ar将真空室的腔体填充至1.0×10-1-1.0Pa;启动Ar离子辉光放电,对基体材料的表面进行等离子体蚀刻30-40分钟,然后点燃若干个Cr靶进行2-5分钟Cr打底层沉积;

2)沉积梯度层,首先关闭Cr靶,通入400-600ccm的N2气,同时点燃若干个TiSi靶和若干个AlTi靶,调整TiSi靶弧电流为40-70A,AlTi靶弧电流为110-140A,沉积TiAlSiN涂层20-30分钟;然后调整TiSi靶弧电流为60-80A,保持AlTi靶弧电流为110-140A,沉积TiAlSiN涂层20-30分钟;继续调整TiSi靶弧电流为80-100A,AlTi靶弧电流为80-100A,沉积TiAlSiN涂层20-30分钟;最后调整TiSi靶弧电流为110-140A,AlTi靶弧电流为40-70A,沉积TiAlSiN涂层20-30分钟;

3)沉积TiSiN层,保持TiSi靶弧电流不变,关闭若干个AlTi靶,沉积TiSiN涂层20-30分钟。

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