[发明专利]基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线

权利要求书

1.一种基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：其包括

射频芯片，设置在基板层中；

天线辐射单元，位于第一RDL层中，并呈栅格阵列排布，其中馈电点设置在天线辐射单元的栅格长边与短边的交点上；

接地板，设置在所述基板层上面的第二RDL层中；所述第二RDL层位于第一RDL层的下方；

馈电网络，包括设置在第三RDL层中的RDL馈线，所述第三RDL层位于基板层的下方；

所述射频芯片的背部金属板与接地板相连，前端的射频信号垫与位于其底部的RDL馈线相连；

所述射频芯片有四个射频输出端口，所述馈电点为四个，四个馈电点采用同幅的0°、180°、0°、180°进行馈电，即设置两对差分馈电方式对端口进行馈电；

所述天线辐射单元的栅格阵列包括8个方环；方环中短边s、长边l、短边线宽ws、长边线宽ls分别为1.4~1.6mm、2.8~3.2mm、1.2~1.35mm、0.05~0.1mm；射频芯片的端口设置的间距x向间距dx、y向间距dy分别为4.05~4.65mm、2.8~3.2mm；所述射频芯片的四个端口P1、P2、P3、P4的馈电幅度相同，相位设置为0°、180°、0°、180°。

2.根据权利要求1所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述天线辐射单元位于模塑料层上，所述模塑料层位于第二RDL层的上方；所述射频芯片镶嵌在基板层中。

3.根据权利要求2所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述天线辐射单元的尺寸大于射频芯片的尺寸。

4.根据权利要求3所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述射频信号垫位于第三RDL层的上方。

5.根据权利要求4所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述射频芯片有六个射频输出端口，所述馈电点为六个，六个馈电点采用同幅的0°、180°、0°、180°、0°、180°进行馈电，即设置三对差分馈电方式对端口进行馈电。

6.根据权利要求1~5任意一项所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述基板层的厚度为0.2~0.3mm。

7.根据权利要求1~5任意一项所述的基于扇出型晶圆级封装的多端口功率组合栅格阵列天线，其特征在于：所述基板层的材质为模塑料。