[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010714726.7 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN112310155A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 洪性珍;李承澯;金建熙;金东贤;金尚勳;文秀贤;全珠姬 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供一种显示装置,所述显示装置包括显示区域和位于显示区域外围中的非显示区域。显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域。显示装置包括:基底部;薄膜晶体管(TFT)层,设置在基底部的整个表面之上;以及发光二极管(LED),设置在TFT层上。TFT层包括至少一个TFT。基底部在传感器区域中的厚度比基底部在非传感器区域中的厚度小。
该专利申请要求于2019年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0091190号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
平板显示器(FPD)是用于使人们能够看到内容(例如,静止或移动的图像)的电子观看技术。与传统的阴极射线管(CRT)显示器相比,FPD更轻、更薄并且使用更少的电力。FPD可以包括各种显示装置,诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器。有机发光显示器使用通过电子与空穴之间的复合产生光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。有机发光显示器可以包括向显示区域中的每个OLED提供驱动电流的多个晶体管。
显示装置的边框可以指围绕显示区域的非显示区域。无边框显示装置试图最小化或消除非显示区域。可以通过将显示装置的传感器定位在显示区域中来减小非显示区域的尺寸。然而,定位在显示区域中的传感器接收的光不如定位在非显示区域中的传感器接收的光多。
发明内容
本公开的至少一个示例性实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括定位在显示装置的显示区域中的相机或传感器,与定位在传统的显示装置中的相机或传感器相比,该相机或传感器接收更大量的光。
根据本公开的示例性实施例,提供了一种显示装置,所述显示装置包括显示区域和非显示区域。显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域。显示装置包括:基底部;薄膜晶体管(TFT)层,包括至少一个TFT;以及发光二极管(LED),设置在TFT层上。基底部在传感器区域中的厚度比基底部在非传感器区域中的厚度小。
在示例性实施例中,基底部包括:第一柔性基底;第二柔性基底,面对第一柔性基底;以及第一阻挡层,设置在第一柔性基底与第二柔性基底之间。
在示例性实施例中,第一柔性基底包括通孔,通孔在厚度方向上在传感器区域中穿过第一柔性基底,并且使第一阻挡层的底表面的至少一部分暴露。
显示装置还可以包括:牺牲图案,直接设置在第一阻挡层的底表面的被通孔暴露的区域上。
在示例性实施例中,第一阻挡层的底表面的被暴露的至少一部分还包括碳化表面,并且第一阻挡层在传感器区域中的底表面的粗糙度水平比第一阻挡层在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
在示例性实施例中,通孔还穿过第一阻挡层的至少一部分,并且第一阻挡层在传感器区域中的厚度比第一阻挡层在非传感器区域中的厚度小。
第一阻挡层在传感器区域中的底表面的粗糙度水平可以比第一阻挡层在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
在示例性实施例中,通孔完全穿过第一阻挡层,并且使第二柔性基底的底表面暴露。
在示例性实施例中,第二柔性基底的被暴露的底表面还包括碳化表面,并且第二柔性基底在传感器区域中的底表面的粗糙度水平比第二柔性基底在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
在示例性实施例中,通孔还穿过第二柔性基底的至少一部分,并且第二柔性基底在传感器区域中的厚度比第二柔性基底在非传感器区域中的厚度小。
第二柔性基底在传感器区域中的底表面的粗糙度水平可以比第二柔性基底在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的