[发明专利]一种二噻吩并苯并硒二唑聚合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二噻吩并苯并硒二唑聚合物，其特征在于：结构式为：

式中，R₁为C₈～C₂₄的烷基，R₂为C₈～C₂₄的烷基，M为氟取代氟取代氟取代中的一种，n为10～150的整数。

2.根据权利要求1所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物，其特征在于：所述R₁为C₈～C₂₄的支链烷基。

3.根据权利要求2所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物，其特征在于：所述R₂为C₈～C₂₄的支链烷基。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物，其特征在于：所述二噻吩并苯并硒二唑聚合物的数均分子量为11000～51000g/mol。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物，其特征在于：所述二噻吩并苯并硒二唑聚合物的空穴迁移率为0.01～0.12cm²/(V·s)。

6.权利要求1～5中任意一项所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将转化成

2)将转化成

3)将转化成

4)将转化成

5)将与双(三甲基锡)取代的杂环化合物Me₃Sn-M-SnMe₃共聚合，得到二噻吩并苯并硒二唑聚合物。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)进行和盐酸羟胺的反应，得到

2)进行和二氧化锡的反应，得到

3)进行和液溴的反应，得到

4)进行和3-烷基-5-三丁基锡噻吩的反应，得到

5)进行和双(三甲基锡)取代的杂环化合物Me₃Sn-M-SnMe₃的共聚反应，得到二噻吩并苯并硒二唑聚合物。

8.一种太阳电池，其特征在于：包括依次层叠的阳极、空穴传输层、活性材料层、电子传输层和阴极；所述活性材料层包括电子给体和电子受体，所述电子给体为权利要求1～5中任意一项所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物。

9.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于：所述电子受体为非富勒烯受体材料。

10.一种晶体管，其特征在于：包含权利要求1～5中任意一项所述的二噻吩并苯并硒二唑聚合物。