[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010715463.1 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111729659A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mcm 41 分子筛 表面 cr 离子 印迹 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)MCM-41的制备:称取1.2g十六烷基三甲基溴化铵于三颈烧瓶中,同时量取90mL氨水和130mL蒸馏水一并加入三颈烧瓶中,60℃下搅拌,直至十六烷基三甲基溴化铵完全溶解,在剧烈搅拌下,缓慢滴加5mL正硅酸乙酯,再匀速搅拌,反应6h,停止反应趁热倒出,在室温下,晶化3d,将固体颗粒洗涤至中性,干燥,在马弗炉中550℃烧6h除去十六烷基三甲基溴化铵,得到MCM-41;

(2)称取0.2-0.25mmol的重铬酸钾固体在三口瓶中,然后加入10mL超纯水使其充分溶解,再称量80-100mL的甲醇加入三口瓶中,混匀之后,滴加2mL的N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷,反应1-2h,接着加入1g步骤(1)得到的MCM-41,60℃冷凝回流20h,之后加入1.44mL的环氧氯丙烷,继续反应2-4h,冷却后抽滤,用甲醇洗涤2-3次;

(3)最后再步骤(2)中加入2mol/L的盐酸在常温下洗脱2-4h,再用去离子水洗涤至中性,80℃烘干,得到基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学,未经桂林理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010715463.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top