[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法在审
申请号: | 202010715463.1 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111729659A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | B01J20/26 | 分类号: | B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/22 |
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地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mcm 41 分子筛 表面 cr 离子 印迹 材料 制备 方法 | ||
1.一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)MCM-41的制备:称取1.2g十六烷基三甲基溴化铵于三颈烧瓶中,同时量取90mL氨水和130mL蒸馏水一并加入三颈烧瓶中,60℃下搅拌,直至十六烷基三甲基溴化铵完全溶解,在剧烈搅拌下,缓慢滴加5mL正硅酸乙酯,再匀速搅拌,反应6h,停止反应趁热倒出,在室温下,晶化3d,将固体颗粒洗涤至中性,干燥,在马弗炉中550℃烧6h除去十六烷基三甲基溴化铵,得到MCM-41;
(2)称取0.2-0.25mmol的重铬酸钾固体在三口瓶中,然后加入10mL超纯水使其充分溶解,再称量80-100mL的甲醇加入三口瓶中,混匀之后,滴加2mL的N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷,反应1-2h,接着加入1g步骤(1)得到的MCM-41,60℃冷凝回流20h,之后加入1.44mL的环氧氯丙烷,继续反应2-4h,冷却后抽滤,用甲醇洗涤2-3次;
(3)最后再步骤(2)中加入2mol/L的盐酸在常温下洗脱2-4h,再用去离子水洗涤至中性,80℃烘干,得到基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅵ)离子印迹材料。
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