[发明专利]用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路

说明书

本公开的实施例涉及用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路。一种集成电路存储器，包括：状态晶体管，具有浮置栅极，该状态晶体管存储相应数据值。一种器件，用于保护在存储器中存储的数据，包括电容性结构，该电容性结构具有耦合到状态晶体管的浮置栅极的第一导电体、介电体、以及耦合到接地端子的第二导电体。介电体被配置为，如果水溶液与介电体接触，则电耦合浮置栅极和接地端子，以便修改在浮置栅极上的电荷，并且丢失对应数据，否则电隔离浮置栅极和接地端子。

优先权声明

本申请要求于2019年7月24日提交的法国专利申请第1908376号的优先权权益，该申请的全部内容在通过法律可允许的最大范围内，通过引用的方式并入本文。

技术领域

各个实施例及其实现方式涉及保护在集成电路存储器中存储的数据，尤其是涉及防止逆向工程。

背景技术

逆向工程技术可以使得能够重构集成电路的整个物理结构，并且还能够恢复在集成电路的非易失性存储器内包含的数据，特别是秘密数据。

例如，如果数据构成用于分析集成电路的操作的关键元素，或者如果数据包含加密密钥/解密密钥、标识信息或认证信息，或者出于任何其他原因，则数据必须被保密。

从非易失性存储器中恢复数据通常包括纳米探测技术、无源电压对比(PVC)技术、或电子束感应电流(EBIC)技术。

这些技术需要经由前面来访问集成电路的逆向分析部分，以便使探针通常与集成电路的逆向分析部分接触，或者经由后面访问集成电路的逆向分析部分，以便访问存储器单元的浮置栅极。

常规地，前面是集成电路的半导体衬底的面，在该面上形成了晶体管，并且通常在其顶部上找到互连部分(通常由“线路后段(Back End of Line)”的首字母缩写BEOL指示)。

后面是与衬底的前面相对的面。

为了获得对集成电路的逆向分析部分的访问，集成电路通常以机械方式、通过使用聚焦离子束(FIB)、或通过等离子体烧蚀进行加工。

前面的机械加工或化学机械加工尤其允许逐级延迟互连部分，以便重构互连。机械加工通常包括用水、或潜在地用在水溶液中的化合物润滑的机械抛光。在后面上，这种技术允许减薄电路。

通过聚焦离子束FIB进行加工，允许实现纳米蚀刻，例如以便经由后面到达浮置栅极附近，以便例如通过PVC或EBIC观察浮置栅极的电行为，并且由此推断出所存储的信息。经由前面，FIB技术还允许访问互连层级。

如果集成电路没有加电、或如果集成电路的功能被破坏，则用于检测逆向工程的传统器件针对检测上述方法无效。

因此，期望的是，改善用于保护在集成电路存储器内存储的数据、并且防止所有类型的攻击的技术。

发明内容

根据一方面，提供了用于保护在集成电路的存储器中存储的数据的方法，包括：制造存储器，包括：制造至少一个状态晶体管，至少一个晶体管包括浮置栅极；以及将相应数据值写入到每个状态晶体管中，包括：将表示数据的电荷存储在状态晶体管的浮置栅极中；制造保护器件，包括：针对至少一个状态晶体管，形成至少一个电容性结构，至少一个电容性结构包括耦合到状态晶体管的浮置栅极的第一导电体、介电体、以及耦合到接地端子的第二导电体，其中介电体被配置为，如果水溶液与介电体接触，则电耦合浮置栅极和接地端子，以便修改在浮置栅极上的电荷、并且丢失对应数据，否则用于电隔离浮置栅极和接地端子。

换句话说，存储数据的状态晶体管连接到电容性结构，该电容性结构起着天线的作用，其目的是在逆向工程的情况下丢失存储的信息。