[发明专利]一种含蒽类衍生物及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010715719.9 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111777609A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 王永光;张雪;汪康;陈振生;王进政;张鹤;马晓宇 申请(专利权)人: 吉林奥来德光电材料股份有限公司
主分类号: C07D471/14 分类号: C07D471/14;C07D498/14;C07D498/04;C07D513/14;C07D513/04;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 豆贝贝
地址: 130000 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 含蒽类 衍生物 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种含蒽类衍生物,其特征在于,所述含蒽类衍生物具体为以下化合物中任一种:

2.一种权利要求1所述含蒽类衍生物的制备方法,包括以下步骤:

将具有式Ⅱ结构的反应物和具有式Ⅲ结构的反应物在叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦存在下反应,终止反应后得到权利要求1所述的含蒽类衍生物;

式Ⅱ;式Ⅲ;

式Ⅲ中,所述X选自卤素;

所述R1和R2选自的取代基同权利要求1;所述n1和n2的取值为1;

所述X1~X8选自的取代基同权利要求1;

所述L选自的取代基同权利要求1;

所述Y选自的取代基同权利要求1。

3.一种有机电致发光器件,包括第一电极、第二电极和置于两电极之间的有机化合物层;

所述有机化合物层包括依次接触的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层; 所述空穴阻挡层可存在,也可以不存在;

所述电子传输层包括权利要求1所述的含蒽类衍生物或权利要求2所述制备方法制备的含蒽类衍生物。

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