[发明专利]应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源有效
申请号: | 202010716659.2 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111969854B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 赵晓妮;白小青;李海波 | 申请(专利权)人: | 西安爱科赛博电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/08;H02M1/44 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 屠沛 |
地址: | 710119 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 不同 输入 电压 等级 高压 开关电源 | ||
1.一种应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,包括抗冲击和EMI电路(1)、两级双管双绕组反激式开关电源、采样电路(6)、控制芯片(4)和驱动电路(5);
其特征在于:
所述两级双管双绕组反激式开关电源分别记为第一级双管双绕组反激式开关电源和第二级双管双绕组反激式开关电源;
所述第一级双管双绕组反激式开关电源和第二级双管双绕组反激式开关电源的拓扑结构相同,均包括均压电路、高频变压器以及两个RCD吸收电路(7);
所述高频变压器包括首级输入绕组、次级输入绕组、首级输出绕组以及次级输出绕组;
各级双管双绕组反激式开关电源中,两个RCD吸收电路(7)分别与高频变压器的首级输入绕组和次级输入绕组并联,高频变压器的首级输入绕组与次级输入绕组通过MOSFET串联;
第一级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T1的次级输入绕组与第二级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T2的首级输入绕组通过MOSFET串联;
第二级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T2的次级输入绕组通过MOSFET接输入电压的负极端;
第一级双管双绕组反激式开关电源的均压电路(2a)和第二级双管双绕组反激式开关电源的均压电路(2b)串联;
第一级双管双绕组反激式开关电源和第二级双管双绕组反激式开关电源的均压电路之间设置有电容切换开关K2和电阻切换开关K3,且第一级双管双绕组反激式开关电源的两端设置有短接开关K1;
第一级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T1的次级输入绕组与第二级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T2的首级输入绕组之间设置有变压器切换开关K4。
2.根据权利要求1所述的应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,其特征在于:
所述控制芯片(4)的输入电压端接第二级双管双绕组反激式开关电源高频变压器T2的首级输出绕组。
3.根据权利要求2所述的应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,其特征在于:
所述控制芯片(4)的软启输入端通过电阻R5接第一级双管双绕组反激式开关电源的输入电压正母线端。
4.根据权利要求1所述的应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,其特征在于:
还包括反馈电路(3);
所述反馈电路(3)包括依次连接的分压电路、电压基准以及光耦;所述分压电路输入端接第二级双管双绕组反激式开关电源的高频变压器T2的次级输出绕组;所述光耦输出端接控制芯片(4)的电压反馈端。
5.根据权利要求1所述的应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,其特征在于:
所有MOSFET的驱动信号由驱动电路(5)提供;所述驱动电路(5)采用两个正激式驱动电路;
每个正激式驱动电路包括与其对应双管双绕组反激式开关电源相匹配的隔离变压器以及MOSFET关断期间栅极和源极之间的负压产生电路;
隔离变压器的输入绕组接控制芯片(4)的驱动信号产生端,其输出绕组接所述负压产生电路的输入端;负压产生电路的输出端分别接与其对应的两个MOSFET管的栅源极驱动端。
6.根据权利要求1所述的应用于不同输入电压等级的高压反激开关电源,其特征在于:
所述控制芯片(4)的型号为NCP 1252。
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