[发明专利]半导体芯片样品目标位置的定位方法和定位装置有效
申请号: | 202010716832.9 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111834273B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 邹锭 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/3105;H01L21/311 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 样品 目标 位置 定位 方法 装置 | ||
该发明公开了一种半导体芯片样品目标位置的定位方法和定位装置,所述定位方法包括:S1:提供半导体芯片样品;S2:通过光学显微镜观察样品以确定目标位置,对所述目标位置进行标记;S3:通过电子显微镜观察样品以确定所述目标位置的标记,根据所述目标位置的标记对样品进行研磨至相应位置。根据本发明实施例的定位半导体芯片样品目标位置的方法,能够确定目标位置后对样品进行处理,从而能够避免研磨过度,保证目标位置的完整性,也能够减少扫描范围和制样时间。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体芯片样品目标位置的定位方法和定位装置。
背景技术
在半导体技术发展过程中,随着工艺和制程技术的提高,如何高效,准确的找到目标位置并保证目标位置的完整也成为了当前众多高难度的挑战之一.对于所有半导体芯片来讲,整个的器件区域通常面积较大,用传统的研磨以后用扫描电镜观察的方法,由于存在扫描范围,研磨的不均匀性和扫描电镜透射深度的问题,无法观察整个器件区域的构造,也无法确定目标位置或者需要反复研磨很多次才能将器件区域观察完全进而才能确定目标位置,所以存在很大的将目标位置研磨过度的风险,不能保证目标位置的完整性,而且反复对样品进行研磨确认也非常消耗时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体芯片样品目标位置的定位方法,能够确定目标位置后对样品进行处理,从而能够避免研磨过度,保证目标位置的完整性,也能够减少扫描范围和制样时间。
根据本发明实施例的半导体芯片样品目标位置的定位方法,包括:S1:提供半导体芯片样品;S2:通过光学显微镜观察样品以确定目标位置,对所述目标位置进行标记;S3:通过电子显微镜观察样品以确定所述目标位置的标记,根据所述目标位置的标记对样品进行研磨至相应位置。
由此根据本发明实施例的定位半导体芯片样品目标位置的方法,通过光学显微镜对样品进行观察过以确定目标位置,并对目标位置进行标记,电子显微镜根据标记来确定目标位置,光学显微镜对层间介质层的穿透能力较大,能够穿透层间介质层观察确定目标位置,通过对目标位置进行标记,使得电子显微镜能够通过标记来确认目标位置,从而不需要电子显微镜观察整个器件区域层后来确认目标位置,也能够减少扫描范围,使得研磨的更加均匀。
相比现有技术中仅通过电子显微镜观察,由于电子显微镜的透射深度小,无法观察整个半导体芯片样品的器件区域层的构造,也无法确认目标位置,需要经过反复研磨多次才能将器件区域层观察后来确认目标位置,本发明中通过光学显微镜观察后对目标位置进行标记,电子显微镜能够看到目标位置打好的标记,根据目标位置的标记来对半导体芯片样品进行研磨减薄来制样,从而不需要对半导体芯片样品反复研磨多次来确认目标位置,进而能够避免目标位置研磨过度的风险,也能够减少制样的消耗时间,保证目标位置的完整性。
根据本发明的一些实施例,在通过所述光学显微镜观察样品以确定目标位置之前,执行以下步骤:去除所述半导体芯片样品表面的金属层。
可选地,在去除样品表面的金属层的步骤中,包括以下步骤:对所述样品表面的金属层进行研磨;通过所述光学显微镜观察样品以能够观察所述层间介质层来确认研磨掉所述金属层。
可选地,采用物理机械研磨去除所述金属层。
可选地,采用化学刻蚀去除所述金属层
根据本发明的一些实施例,在所述步骤S2中,采用激光器对所述目标位置进行激光标记。
本发明还提出了一种半导体芯片样品目标位置的定位装置。
根据本发明实施例的半导体芯片样品目标位置的定位装置包括:电子显微镜、光学显微镜、标记装置和处理装置,所述处理装置用于对样品进行处理,所述光学显微镜对样品进行观察以确定目标位置,所述标记装置用于对所述目标位置进行标记,所述电子显微镜用于样品进行观察。
根据本发明的一些实施例,所述处理装置为研磨装置和/或刻蚀装置。
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