[发明专利]具有竖直存取晶体管的存储器阵列

说明书

本申请涉及具有竖直存取晶体管的存储器阵列。一种设备，其可以具有第一存储器单元和第二存储器单元。所述第一存储器单元可以具有第一存储装置，所述第一存储装置通过第二层级处的第一竖直晶体管选择性地耦合到第一层级处的第一数字线。所述第二存储器单元可以具有第二存储装置，所述第二存储装置通过所述第二层级处的第二竖直晶体管选择性地耦合到所述第一层级处的第二数字线。第三数字线可以在第三层级处并且可以耦合到主感测放大器。本地感测放大器可以耦合到所述第一数字线、所述第二数字线和所述第三数字线。所述第二层级可以在所述第一层级和所述第三层级之间。

技术领域

本公开总体上涉及存储器装置，并且更具体地说，涉及具有竖直存取晶体管的存储器阵列。

背景技术

存储器通常实现于电子系统中，例如计算机、蜂窝式电话、手持式装置等。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电源来维护其数据，并且可以包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)以及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可以通过在未通电时保留所存储的数据来提供持久性数据，并且可以包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储器(例如，相变随机存取存储器)、电阻式存储器(例如，电阻式随机存取存储器)、交叉点存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)等。

在一些实例中，DRAM存储器阵列可以包含耦合到相应数字线的相应DRAM存储器单元组。来自每个组的相应存储器单元可以共同耦合到相应存取线，例如字线。在一些实例中，DRAM存储器单元可以包含存储装置(例如，存储元件)，例如电容器，其通过存取装置(例如，存取晶体管)耦合到数字线。存取装置可以由耦合到存取晶体管的存取线激活(例如，以选择单元)。电容器可以存储对应于相应单元(例如，逻辑“1”或“0”)的数据值的电荷。

发明内容

在一个方面中，本申请针对一种包含竖直存取晶体管的设备，其包括：第一存储器单元212，其包括第一存储装置227、327、627、727、827，所述第一存储装置227、327、627、727、827通过第二层级360、660、760、860处的第一竖直晶体管225、325、625、670、725、825选择性地耦合到第一层级330、630、730、830处的第一数字线218-1、318-1、518-1、618-1、718-1、818-1；第二存储器单元212，其包括第二存储装置227、327、627、727、827，所述第二存储装置227、327、627、727、827通过所述第二层级360、660、760、860处的第二竖直晶体管225、325、557、571、562、625、670、725、744、751、841、825、851选择性地耦合到所述第一层级330、630、730、830处的第二数字线218-2、318-2、518-2、618-2、718-2、818-2；第三数字线350、650、750、850，其在第三层级352处，其中所述第二层级在所述第一层级和所述第三层级之间；本地感测放大器220、320、520、620、771、871，其耦合到所述第一数字线、所述第二数字线和所述第三数字线；以及主感测放大器355、555、655、755、855，其耦合到所述第三数字线。