[发明专利]压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法

权利要求书

1.压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一，将Ф20mm压装PBX炸药柱放入铝塑袋密封，在60℃保温2小时，然后在5℃保温2小时，反复操作3～5次，室温下放置24小时后取出药柱；将药柱平稳地放在工作台面，用刀片从药柱的上平面十字交叉方式向下切入药柱，切口3～5mm深，使药柱轴向劈裂成4部分，从所有新产生的不规则自然断面上，多点无损取下NTO颗粒至少100颗，从中随机选取10个NTO颗粒分别进行测试；

步骤二，设定显微拉曼光谱仪工作参数：50倍显微镜，测试微区为0.8μm，激光波长为785nm，激光能量为15～25mW，扫描范围为2000cm^-1～200cm^-1，曝光时间为1秒，分辨率为1cm^-1，扫描次数为2次；

步骤三，重复测试单晶硅片固定试样点24次，测试间隔为1～2分钟，根据520cm^-1处特征峰的测试的结果计算实验相对标准偏差RSD_Si；

步骤四，测试步骤一随机选取的10个NTO颗粒，每个NTO颗粒随机选取2～3个点进行测试，测试间隔为1～2分钟，读取1104cm^-1处特征峰的半高峰宽，计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSD_NTO；

步骤五，从同批次未包覆黏结剂的NTO重结晶品中，随机选择10个NTO颗粒，每个NTO颗粒随机选取2～3个点进行测试，测试间隔为1～2分钟，读取1104cm^-1处特征峰的半高峰宽，计算10个颗粒所有检测结果的实验相对标准偏差RSD’_NTO；

步骤六，当RSD_NTO－RSD’_NTO≤3RSD_Si时，则认为与未包覆前NTO相比，压装药柱中NTO晶体品质未发生明显变化。

2.如权利要求1所述的压装PBX炸药柱中NTO晶体品质表征方法，其特征在于，所述压装PBX炸药柱是由超临界保温法制备的NTO基造型粉压制的。