[发明专利]一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及声表面波滤波器有效
申请号: | 202010717300.7 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111883647B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 欧欣;陈阳;黄凯;赵晓蒙;鄢有泉;李忠旭;黄浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L41/253 | 分类号: | H01L41/253;H01L41/04;H01L41/08;H03H9/02;H03H9/64 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 薄膜 制备 方法 表面波 滤波器 | ||
1.一种压电薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
对压电晶圆进行离子注入剥离,得到初始压电薄膜,所述初始压电薄膜的表面具有离子注入损伤层;
在预设温度范围内,通过氟离子对所述初始压电薄膜进行低能离子辐照去除所述离子注入损伤层,得到辐照后的压电薄膜;所述辐照后的压电薄膜的表面具有非晶层,所述非晶层包含所述氟离子与所述初始压电薄膜在离子辐照过程中进行化学反应得到的成分;所述预设温度范围为25℃-300℃,所述低能离子辐照的能量范围为200ev-5000ev;所述成分为包含所述初始压电薄膜的元素的氟化物,所述非晶层为氟化物非晶层,在所述低能离子辐照的环境温度大于预设温度阈值时,所述氟化物非晶层中的部分氟化物进行升华,升华后的氟化非晶层的内部形成孔洞结构;
使用预设混合溶液去除所述辐照后的压电薄膜表面的非晶层,得到压电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述压电薄膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述离子注入损伤层的厚度为25nm-150nm,所述非晶层的厚度为1nm-10nm,去除的离子注入损伤层的厚度与去除的非晶层的厚度之和为30nm-160nm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述使用预设混合溶液去除所述辐照后的压电薄膜表面的非晶层,得到压电薄膜,包括:
将所述辐照后的压电薄膜在70℃-90℃的所述预设混合溶液中浸泡60min-180min,去除所述非晶层,得到所述压电薄膜;
其中,所述预设混合溶液由氨水、双氧水和水按照预设体积比例进行混合得到,所述氨水与所述双氧水的体积比为2:2,所述双氧水与所述水的体积比为2:1-2:2.5。
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